Cтраница 3
Простейшие стабилизаторы - это газоразрядные и полупроводниковые стабилитроны, которые поддерживают напряжение с точностью до долей - единиц вольт. Стабилитроны тлеющего разряда могут нормально работать при токах в единицы - - десятки миллиампер. Полупроводниковые стабилитроны позволяют выполнять стабилизаторы на токи в единицы миллиампер - единицы ампер. Коэффициент стабилизации напряжения простейших стабилизаторов ( рис. 137, а), равный нескольким десяткам, не всегда оказывается достаточным; / от - ( AL 0 / 6 0) / ( / CT / Af / CT) при Ra const, где At / 0 и Af / OT - изменения напряжения на входе и выходе стабилизатора. [31]
К числу основных параметров полупроводниковых стабилитронов относится также температурный коэффициент стабилизации. Он определяется тем изменением напряжения на стабилитроне, которое соответствует изменению температуры окружающей среды на Г С. Температурный коэффициент у кремниевых стабилитронов может быть положительным и отрицательным и изменяется в пределах 0 05 - 0 15 % / С. [32]
![]() |
Простейшая схема стабилизатора напряжения с обратной связью. [33] |
В качестве опорного напряжения применен полупроводниковый стабилитрон. [34]
Наиболее распространенными типами стабилизаторов являются газовые, электронные, полупроводниковые стабилитроны, бареттеры. [35]
К сожалению, схеме с полупроводниковым стабилитроном тоже свойственны недостатки: во-первых, балластное сопротивление R0, обеспечивающее отвод суммарного тока / пр / д, шунтирует нагрузку по переменному току и, следовательно, уменьшает входное сопротивление повторителя; во-вторых, в начальном состоянии на сопротивлении R0 падает значительное напряжение и соответственно требуется большее напряжение питания, чем в схеме с конденсатором. [36]
![]() |
Функциональные узлы транзисторных стабилизаторов напряжения. [37] |
В качестве источника эталонного напряжения используется полупроводниковый стабилитрон ( см. § 2 - 7) с низким рабочим напряжением ( около 6 В), имеющий минимальную зависимость напряжения от температуры. Управление осуществляется по цепи базы напряжением, пропорциональным выходному напряжению регулирующего устройства, что является полной аналогией рассмотренной перед этим ламповой схемы. Эта схема состоит из двух усилителей с общим эмиттером и общим сопротивлением R3 в цепи эмиттеров. [38]
Выбор кремния в качестве материала для полупроводниковых стабилитронов обусловлен главным образом малым обратным током. [39]
Для стабилизации могут применяться насыщенные стали, полупроводниковые стабилитроны и другие устройства. Здесь рассматривается только получение постоянного стабилизированного напряжения при помощи полупроводниковых стабилитронов. [40]
В параметрических стабилизаторах в настоящее время применяются газовые и полупроводниковые стабилитроны. [41]
![]() |
Типовая схема защиты электроизмерительного прибора от перегрузки с помощью полупроводникового стабилитрона. [42] |
Типовая схема защиты электроизмерительного прибора с помощью полупроводникового стабилитрона приведена на рис. 1 - 23, а на рис. 1 - 24 показана типичная вольт-амперная характеристика низковольтного кремниевого стабилитрона, причем наиболее интересные участки характеристики показаны в более крупном масштабе. В прямом направлении вольт-амперная характеристика стабилитрона практически не отличается от прямой ветви характеристики любого кремниевого диода. Обратная ветвь характеристики стабилитрона имеет резкий перелом, который объясняется наступлением пробоя. [43]
![]() |
Силы взаимодействия между электрическими [ IMAGE ] Электрическое поле зарядами ( кулоновские си-точечного заряда лы. [44] |
В схемах стабилизаторов напряжения теперь все чаще применяются полупроводниковые стабилитроны. [45]