Полупроводниковый стабилитрон

Cтраница 5

Поскольку пробойный режим не свя-ан с инжекцией неосновных носителей, 1 полупроводниковом стабилитроне от-утствуют инерционные явления ( накоп - 1ение и рассасывание носителей) при пе-еходе из области пробоя в область апирания и обратно. [61]

Статическая характеристика туннельного диода. [62]

Поскольку пробойный режим не связан с инжекцией неосновных носителей, в полупроводниковом стабилитроне отсутствуют инерционные явления ( накопление и рассасывание носителей) при переходе из области пробоя в область запирания и обратно. Эта особенность делает возможным применение полупроводниковых стабилитронов не только в стабилизаторах напряжения, но и в импульсных схемах. К числу таких схем относятся ограничители и фиксаторы уровня. [63]

Построение характеристики передачи огра. [64]

Применение в параллельной схеме диодов с малым напряжением пробоя при обратном потенциале - полупроводниковых стабилитронов ( см. § 4.2) - позволяет осуществить двустороннее ограничение сигнала. Такг: я схема представлена на рис. 8.5, в. [65]

Принцип работы шунтавых стабилизаторов с этими триодами похож на принцип работы газовых или полупроводниковых стабилитронов. При этом ток нагрузки высоко вольтного кенотрона поддерживается на одном и том же уровне, соответствующем максимальному току лучей кинескопа. Происходящее при этом изменение чувствительности по отклонению приводит к нарушению сведения лучей и к появлению цветной бахромы и цветных окан-тозок, особенно заметных на черно-белом изображении. Одновременно с этим нарушается как статический, так и динамический баланс белого. В итоге ухудшается четкость и возникает нежелательное подкрашивание изображений. [66]

Страницы: 1 2 3 4 5