Инверсное включение - транзистор
Cтраница 1
 |
Входная характеристика транзистора, работающего в области отсечки.| Передаточная характеристика транзистора, работающего в области отсечки. [1] |
Инверсное включение транзисторов применяется сравнительно редко, поэтому в справочниках не приводятся вольт-амперные характеристики транзистора при работе в инверсной области. [2]
При инверсном включении транзистора начальная область аналогичных характеристик имеет такой же вид и отличается лишь масштабом по осям. [3]
При инверсном включении транзистора прямое смещение подается на коллекторный переход, а эмиттер закорачивается с базой, таким образом производится их разбраковка ( с помощью т /) по качеству поверхности коллекторного перехода. [4]
Что понимается под инверсным включением транзистора. [5]
 |
Параллельный коммутатор на биполярном транзисторе.| Последовательный коммутатор на базе насыщенного эмиттерного повторителя. [6] |
Если же в инверсном включении транзистора, т.е. при взаимной замене выводов коллектора и эмиттера, установить выходной ток равным нулю, то ток базы транзистора будет равен току коллектора. Возникающее напряжение смещения будет приблизительно в 10 раз меньше, чем при прямом включении транзистора; знак же его, как и при прямом включении, будет положительным, так как в схеме на рис. 17.7 Ua - UCE. Поэтому при использовании биполярных транзисторов в качестве коммутаторов их целесообразно включать, поменяв местами выводы коллектора и эмиттера. Если при этом поддерживать эмит-терный ток достаточно малым, то транзистор будет работать только в инверсном режиме. [7]
В данном случае применено инверсное включение транзисторов, когда ток управления проходит по цепи база - коллектор. За счет этого при открытом переключателе остаточное напряжение каждого из транзисторов составляет единицы милливольт, что гораздо меньше того же напряжения при прямом включении транзисторов. Остаточное сопротивление открытого переключателя составляет несколько десятков Ом. В закрытом состоянии переключатель характеризуется током утечки между эмиттерами / зак. [8]
Рассматриваемый режим называют режимом инверсного включения транзистора. [9]
Такой режим называют режимом инверсного включения транзистора. [10]
Уменьшению остаточного напряжения при инверсном включении транзисторов способствуют увеличение а, уменьшение обратного тока эмиттерного перехода Igg, уменьшение сопротивления базы / g, уменьшение емкости переходов, уменьшение тока базы в открытом состоянии транзистора, уменьшение сопротивлений источника сигнала и входной цепи усилителя. Наиболее пригодны для ключевых модуляторов высокочастотные маломощные транзисторы с большими значениями коэффициента усиления по току. [11]
Большое распространение в прерывателях имеет инверсное включение транзистора ( рис. 14 - 8, б), которое по сравнению с нормальным включением обеспечивает меньшие ток / с и напряжение Ос. [12]
Аналогичным образом определяются параметры для инверсного включения транзистора. Легко видеть, что определение параметров даже такой сравнительно несложной модели - процесс достаточно трудоемкий. [13]
Следует указать что сопротивление базы при инверсном включении транзистора отличается от величины, определяемой при нормальном включении. Причина заключается в асимметрии структуры транзистора. [14]
Зг - коэффициенты усиления тока при прямом и инверсном включении транзистора; ( т ЬТ / д - температурный потенциал; k - постоянная Больцмана; Т - абсолютная температура; q - заряд электрона. [15]
Страницы: 1 2 3 4