Инверсное включение - транзистор
Cтраница 2
Для улучшения ключевых свойств при малых токах может применяться инверсное включение транзистора. Целесообразность прямого или инверсного включения определяется типом применяемого транзистора, величиной коллекторного тока и особенностями схемы. [16]
Влияние обратного тока эмиттерного перехода / эо сказывается при инверсном включении транзистора. Такое включение используется в преобразователях и в некоторых импульсных схемах. [17]
Аналогичный вид имеют выражения для тока / / при инверсном включении транзистора. В полной схеме замещения на рис. 6.21, справедливой для нормального и инверсного включений, каждый из диодов описывается двумя параметрами и каждая из нелинейных емкостей - также двумя параметрами. [18]
При перемене полярности напряжений ( / Эб и UK & получим инверсное включение транзистора. [19]
 |
Динамическая модель биполярного транзистора Эберса - Молла ( actw. [20] |
Тэ и Тк - постоянные времени пролета носителей через базу при нормальном и инверсном включении транзистора соответственно. [21]
 |
Полные эквивалентные схемы транзисторного ключа ( второго. [22] |
Наиболее простые из возможных эквивалентных схем второго типа показаны на рис. 2 - 31 для инверсного включения транзистора. Аналогичные схемы для нормального включения транзистора отличаются от приведенных только величиной параметров. [23]
Переход на двухполярное управление всегда приводит к значительному увеличению Ucp как для нормального, так и для инверсного включения транзистора. [24]
Еще одна погрешность в скорость вращения двигателя вносится остаточным напряжением на ключах, которое составляет 2 - 3 мв при инверсном включении транзисторов. Кроме того, обратный ток перехода баз-эмиттер ( порядка 1 мка у транзисторов П13А при напряжении коммутации порядка 1 в) яри сопротивлении контура регулирования 3 ком также соответствует погрешности порядка 3 мв. [25]
Это обусловлено тем, что составляющая остаточного тока, определяемая утечками между электродами, примерно одинакова как для нормального, так и для инверсного включения транзистора ( сопротивления гкб и гэб одного порядка), и величины этих токов зависят не только от материала полупроводника ( германий или кремний), но и от технологии и качества изготовления транзисторов. [26]
 |
Модуляторы с биполярными транзисторами.| Структурная схема автогенераторного УПТ.| Схема демодуляторов однополупериод-ная параллельная ( а и двухполупериодная последовательная ( б. [27] |
Такая компенсация достигается встречным последовательным соединением двух одинаковых транзисторов - ключей, причем отдают предпочтение, как показано на рис. 1 - 79, инверсному включению транзисторов, когда в роли управляющего используется коллекторный, а не эмиттерный р-ге-переход. Это содействует уменьшению тока утечки в запертом состоянии и температурного дрейфа. Для подобных схем модуляторов выпускаются специальные сдвоенные транзисторы с малым разбросом параметров внутри пары. [28]
 |
Микросхема КЮ1. КТ1 ( а и варианты ее использования. прерыватель ( б, модулятор ( в, составной транзистор ( г. [29] |
В микросхемах рассматриваемых серий это достигается, во-первых, в результате выполнения транзисторов в едином технологическом цикле с идентичными параметрами, а во-вторых, в результате инверсного включения транзисторов. Остаточные напряжения обоих транзисторов направлены встречно, взаимно компенсируясь, что и позволяет коммутировать весьма слабые сигналы. [30]
Страницы: 1 2 3 4