Инверсное включение - транзистор
Cтраница 3
 |
Входные характеристики идеализированного транзистора. [31] |
Так как всегда aN а, ( за исключением специальных так называемых симметричных транзисторов), то точка пересечения вольт-амперных характеристик промежутка коллектор - эмиттер при инверсном включении транзистора лежит значительно ближе к началу координат, чем при нормальном включении. [32]
 |
Типовые входные характеристики маломощного сплавного транзистора в схеме с общим эмиттером в прямом ( сплошная линия и инверсном ( штриховая линия включениях. [33] |
Из формулы видно, что для схемы с общей базой инверсное включение характеризуется большим входным сопротивлением, так как hzi6N j ti2i6t - Входное сопротивление при инверсном включении транзистора для схемы с общим эмиттером всегда меньше, чем при прямом включении. [34]
Используя выражения ( 4 - 18) и ( 4 - 19), сравним влияние динамических сопротивлений транзисторного ключа для случаев однополярного и двухполярного управлений при инверсном включении транзистора и низкой частоте коммутации, когда можно не учитывать влияния переходных процессов при переключении транзистора. [35]
Для высокочастотного германиевого транзистора типа П403, имеющего меньшую по сравнению с низкочастотными германиевыми транзисторами величину тока / э-н, составляющая, обусловленная обратными токами р-л-переходов, при обоих способах управления пренебрежимо мала в случае инверсного включения транзистора. [36]
Из выражений ( 2 - 155) и ( 2 - 161), определяющих Ском для процесса отпирания транзистора, можно заключить, что по своей физической природе эта емкость является дифференциальной диффузионной емкостью диода Дэ эквивалентной схемы транзистора рис. 2 - 2 при инверсном включении транзистора и диода Дк - при его нормальном включении. [37]
В связи с тем, что даже с учетом влияния сопротивлений г э и гк остаточное напряжение в инверсном включении оказывается значительно меньше остаточного напряжения в нормальном включении, в тех случаях, когда величина остаточного напряжения транзистора оказывает решающее влияние на свойства модулятора, всегда используется инверсное включение транзистора. [38]
 |
Начальная область выходных характеристик идеализированного транзистора. [39] |
В некоторых случаях, когда управление транзистором осуществляется не от источника напряжения, а от источника тока, удобно иметь в распоряжении характеристики / к - f ( / б -, UK-3) для нормального включения и / э - / ( / G -, U K -) для инверсного включения транзистора. [40]
Остаточное напряжение на открытом транзисторе ( источник напряжения U0 на эквивалентных схемах рис. 1 - 16) определяется как абсолютное значение напряжения на промежутке коллектор - эмиттер открытого транзистора при отсутствии тока коллектора ( / к 0) в нормальном включении или при отсутствии тока эмиттера ( / э 0) в инверсном включении транзистора. [41]
Нужно заметить, что при ывх 0 по коллекторной цепи протекает ток, больший тока / ко - Значение этого тока лежит в пределах между / К1 ( 1 р) / ко и / К2 ( 1 р /) / ко, где р / - коэффициент усиления по току при инверсном включении транзистора. [42]
При расчете транзисторных схем, работающих в ключевом режиме, обычно используются следующие параметры: а - статический коэффициент усиления по току при включении транзистора по схеме с общей базой: Р а / ( 1 - а) - статический коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером; а, и Рг аг / ( 1 - О - коэффициенты усиления по току при инверсном включении транзистора, когда коллектор и эмиттер меняются местами. Уэб обр max мало отличается от URQ Обр max, У дрейфовых ( диффузионных) транзисторов предельно допустимое напряжение эмиттерного перехода не превышает 3 В); и1 э Обр та - - максимально допустимое напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при коротком замыкании базы с эмиттером или при включении между базой и эмиттером резистора R ( j ( этот параметр используется в расчетах транзисторного ключа при отсутствии запирающего смещения); Рктах - максимально допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторном переходе. В случае рассеивания большой мощности, следует учитывать тепловые параметры, к которым относятся тепловое сопротивление и максимально допустимые температуры корпуса и р - п переходов полупроводниковых приборов. [43]
 |
Схемы включения транзистора.| Схема токопрохождения в транзисторе типа р-п - р. [44] |
Если оба перехода смещены в обратном направлении, транзистор оказывается в режиме отсечки, в прямом направлении - в режиме насыщения. Иногда используют инверсное включение транзистора, при котором эмиттерный переход смещается в обратном, а коллекторный в прямом направлении. [45]
Страницы: 1 2 3 4