Инверсное включение - транзистор
Cтраница 4
 |
Одномерная модель п-р - п ВЧ транзистора ( а и потока электронов в ней ( б. [46] |
При составлении модели следует учитывать возможность нормального и инверсного включения транзистора, заключающегося в следующем. Обозначим напряжения, прикладываемые к эмиттерному и коллекторному переходам, через эв и а - Каждое из этих напряжений может быть прямым ( эб0; и б0), что соответствует открытому р-п переходу, или обратным ( Эб0; Икб0), что соответствует закрытому р-п переходу. [47]
Уравнения ( 4 - 5) и ( 4 - 6), являющиеся математической моделью транзистора, называются уравнениями Молла - Эберса. Их широко применяют для анализа статических и ключевых режимов при прямом и инверсном включении транзисторов. [48]
Анализ еще более усложняется для случая определения времени рассасывания. Помимо перечисленных выше внутренних и внешних параметров переключаемого транзистора приходится учитывать инверсные параметры а0 / и / а /, поскольку здесь возможно, кроме нормальной, инверсное включение транзистора. [49]
Дрейф в усилителях с преобразованием определяется дрейфом модулятора. В транзисторных модуляторах дрейф создается в результате нестабильности теплового тока и остаточного напряжения транзистора. Для уменьшения остаточных параметров транзисторов часто применяют инверсное включение транзистора, при котором эмиттер и коллектор меняются местами. Лучший результат дает применение компенсированных ключей, представляющих собой последовательное встречное включение двух транзисторов так, что их остаточные параметры компенсируют друг друга. Остаточное напряжение интегральных переключателей ( микросхемы КЮ1) составляет 100 - 300 мкВ в за вдсимости от типа. [50]
При подаче запирающего импульса базового тока / 62 коллекторный ток и напряжение на коллекторе в течение некоторого времени не изменяются, и транзистор остается полностью открытым. Только после рассасывания избыточного заряда дырок за счет отрицательного базового тока транзистор входит в активный режим, и ток коллектора начинает уменьшаться, а напряжение на коллекторе возрастать. На рис. 7.9, б показано, что процесс рассасывания представляется изменением тока ( заряда) от величины p / ei до / кн. Это изменение происходит по экспоненциальному закону с постоянной времени TI, которая определяется в режиме инверсного включения транзистора. При инверсном включении коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер - роль коллектора. [51]
Практически пользуются упрощенной эквивалентной схемой транзистора для усилительного режима. Сопротивления гээ и гкк настолько малы по сравнению с гэ и гк, что ими обычно пренебрегают. Емкости переходов Сэ и Ск следует учитывать только на высоких частотах, поэтому в упрощенной эквивалентной схеме их тоже не указывают. Генератор тока h2liiK нужен только при инверсном включении транзистора. Если же включение транзистора нормальное и режим работы активный ( усилительный), то вместо диодов в эквивалентной схеме можно показать активные сопротивления гэ и гк. Она широко применяется для расчета и анализа транзисторных схем. [52]
Активный режим работы транзистора в ключевом применении имеет место на фронтах переходного процесса переключения и характеризуется прямым смещением одного из переходов. При прямом смещении эмит-терного перехода активный режим называется нормальным. То есть в этом режиме эмиттер и коллектор транзистора выполняют свойственные им функции инжекции и собирания носителей тока. Несимметрия реальной структуры не располагает к свойству обратимости функций переходов, и, как правило, схемное инверсное включение транзистора на практике применяется крайне редко. Однако возможна физическая инверсия функций переходов, например, в процессе запирания биполярною транзистора очень большим отрицательным током базы, когда первым восстанавливает запирающие свойства эмиттерный переход при прямом смещении на коллекторном. [53]
 |
Схемы ключевых модуляторов. однополупериодная о реостатно-емкостяым выходом ( а и явухполупериодная с трансформаторным выходом ( а, их упрощенные эквивалентные схемы ( б, г. [54] |
Это напряжение может быть прямоугольной или синусоидальной формы. Встречно-последовательное включение двух транзисторов позволяет получить так называемые компенсированные ключи, обеспечивающие частичную или полную компенсацию источников помех и снижение остаточного тока закрытого транзистора. При открытых транзисторах RH подключается последовательно с входным сигналом ивх2 через цепи эмиттер - коллектор. Демодуляторы с прямым включением транзисторов имеют меньшую чувствительность, но более экономичную цепь коммутации, поэтому они применяются в цепях после усилителя, где усиленный сигнал управления значительно превышает остаточные токи и напряжения транзисторов. Демодуляторы с инверсным включением транзисторов имеют большую чувствительность и используются как ФЧВ после измерительного элемента, где сигналы управления имеют меньшие значения. [55]
Что называется биполярным транзистором. В чем проявляются собирательные функции коллектора. Что понимают под инверсным включением транзистора. [56]
Дрейф нулевого уровня операционного усилителя складывается из дрейфа модулятора и изменений нулевого уровня выходного напряжения, обусловленных непосредственной связью в высокочастотном канале и в усилителе постоянного тока. Дрейф модулятора обусловлен остаточным напряжением транзистора и переходным процессом при его запирании. Для снижения влияний остаточного напряжения в коллекторную цепь транзистора 7 вводятся отрицательные импульсы, компенсирующие остаточное напряжение. Остаточное напряжение при некотором токе базы имеет минимум и понижается с ростом температуры. На дрейф транзисторного модулятора большое влияние оказывает переходный процесс при запирании транзистора. Амплитуда переходного процесса зависит от величины приложенного к транзистору запирающего напряжения, типа транзистора, температуры и др. -, а длительность - от величины зарядной емкости эмиттерного перехода ( при инверсном включении транзистора) и величины полного сопротивления цепи между эмиттером и коллектором на частоте преобразования. Отдаваемый при запирании транзистором заряд сравнительно мало зависит от сопротивления внешней цепи. Эффект переходного процесса можно учесть, введя генератор тока, который за время всего закрытого состояния транзистора-модулятора создает дополнительное напряжение дрейфа. Ток этого генератора увеличивается с ростом частоты прерывания. Дрейф нуля, обусловленный нестабильностью высокочастотного канала и канала усилителя постоянного тока, ослабляется в число раз, равное коэффициенту усиления канала МДМ. [57]
Интегратор ( рис. 15.42, а, б) построен на ОУ, в цепь ООС которого включен конденсатор. Для разряда конденсатора в схему введены два транзистора, которые находятся в закрытом состоянии. С приходом управляющего напряжения положительной полярности один из транзисторов открывается. При любой полярности выходного сигнала ОУ транзистор ]; работают в нормальном режиме. Через этот транзистор протекает основной ток разряда конденсатора. Инверсное включение транзистора уменьшает остаточное напряжение на конденсаторе. Зависимость остаточного напряжения от управляющего сигнала показана на рис. 15.42, в. Время разряда конденсатора с 6 В до 10 мВ составляет меньше 1 мкс. [58]
Страницы: 1 2 3 4