Степень - насыщение - транзистор
Cтраница 1
Степень насыщения транзистора характеризуется коэффициентом насыщения, равным ( см., напр. [1]
 |
Схема заторможенного мультивибратора ( а и временные диаграммы его работы ( б. [2] |
Поэтому при расчете схемы степень насыщения транзисторов устанавливается минимальной, близкой к границе насыщения. [3]
Время рассасывания зависит от степени насыщения транзистора и амплитуды запускающего тока. [4]
 |
Временные диаграммы для усилителя-ограничителя с трансформаторным выходом. [5] |
С увеличением тока коллектора уменьшается степень насыщения транзистора, поэтому длительность выходного импульса возрастает ненамного. [6]
Время рассасывания сильно зависит от степени насыщения транзистора перед его выключением. Минимальное время выключения получается при граничном режиме насыщения. Для ускорения процесса рассасывания в базу пропускают обратный ток, который зависит от обратного напряжения на базе. Однако прикладывать к базе большое обратное напряжение нельзя, так как может произойти пробой перехода база-эмиттер. [7]
С уменьшением сопротивления АК уменьшается степень насыщения транзистора 1 и, стало быть, уменьшается время рассасывания. Однако длительность фронта запирания при этом увеличивается, и поэтому задержка пилообразного напряжения остается практически неизменной. [8]
Повышение быстродействия здесь получено снижением степени насыщения транзисторов за счет применения диодов Шотки, шунтирующих переход коллектор-база насыщенного транзистора. Диоды Шотки имеют существенно меньшее пороговое напряжение открывания, чем переход коллектор-база, поэтому во время действия входного импульса диоды Шотки открываются раньше, чем переход коллектор-база, таким образом предотвращается накопление избыточных зарядов в базовой области транзисторов. Накопления заряда в самих диодах Шотки не происходит, так как протекающий в них ток вызван переносом основных носителей. [9]
Полученная форма базового тока обеспечивает глубокую степень насыщения транзистора в момент формирования фронта импульса, что сокращает длительность последнего. Однако избыточный заряд носителей в базе, соответствующий установившемуся току базы, будет небольшим. По окончании импульса ( 7ВХ появляется ток разряда конденсатора С, сокращающий время выключения транзистора. [10]
Активная нагрузка, подключаемая параллельно резистору Як, уменьшает степень насыщения транзистора. [11]
Как уже было сказано, время рассасывания сильно зависит от степени насыщения транзистора. Минимальное время выключения получается при пограничном режиме насыщения. Для ускорения рассасывания в базу иногда подают обратный закрывающий ток. Однако прикладывать к базе большое обратное напряжение опасно, так как может произойти пробой перехода база-эмиттер. [12]
Рассмотрим случай большого управляющего тска / 6 / бн, когда степень насыщения транзистора s велика. При большом значении s величина xl / s оказывается малой. [13]
 |
Триггер с заземленной ( а и незаземленной ( б активными нагрузками. [14] |
Главной спецификой нагруженного триггера является то, что выходное напряжение и степень насыщения транзисторов меняются с изменением нагрузки. [15]
Страницы: 1 2 3 4