Степень - насыщение - транзистор
Cтраница 2
Рассмотрим случай большого управляющего тока / б / он, когда степень насыщения транзистора s велика. [16]
Таким образом, для уменьшения влияния ( J на время задержки необходимо повышать степень насыщения транзистора выходного устройства, что затягивает переходные процессы в нем. [17]
Однако конденсаторы переменной емкости имеют сравнительно большие габариты, а изменение R6 влияет на степень насыщения транзисторов. [18]
Поэтому граничное значение R6 обычно не используют, а берут несколько меньшие величины 6, создавая тем самым некоторый запас по степени насыщения транзистора. Смысл коэффициента s состоит в следующем. [19]
В этом случае включение транзистор-а производится большим базовым током / б max - непосредственно перед выключением базовый ток - мал, и степень насыщения транзистора s невелика. [20]
Дальнейшее увеличение тока базы до значения / Б5 уже не приводит к заметному увеличению выходного тока iK; при этом лишь увеличивается степень насыщения транзистора и величина неравновесного заряда в базе. [21]
Дальнейшее увеличение тока базы до значения / Б5 уже не приводит к заметному увеличению выходного тока / к; при этом лишь увеличивается степень насыщения транзистора и величина неравновесного заряда в базе. [22]
В то же время установившийся заряд в базе будет соответствовать гораздо меньшему току / б1 ( сю) / 6l, гак что степень насыщения транзистора может быть небольшой. Таким образом, форсирующая емкость позволяет получить крутой толожительный фронт при слабом последующем насыщении. [23]
В инверторах, работающих на изменяющуюся нагрузку, при постоянном токе базы, который рассчитан из условия получения максимального тока коллектора / к max, степень насыщения транзисторов увеличивается с уменьшением тока нагрузки. [24]
Подключение нагрузки может нарушить устойчивость стационарных состояний, так как при этом изменяется эквивалентное сопротивление коллекторной цепи, что в свою очередь вызывает изменение коллекторного тока и напряжения, это изменение влияет на степень насыщения транзистора и надежность запирания. [25]
Недостатки данного класса схем следующие: а) сравнительно низкая помехоустойчивость; б) повышенные требования к транзисторам, поскольку при разветвлении все транзисторы включаются по входам параллельно; в) зависимость параметров выходных сигналов от характеристик транзисторов, поскольку степень насыщения транзисторов изменяется в зависимости от числа включаемых транзисторов. [26]
По мере заряда конденсатора ток базы / б уменьшается по экспоненте с постоянной времени т - У. Их-С и уменьшается степень насыщения транзистора. Когда ток базы уменьшается настолько, что транзистор выходит из насыщения, напряжение на его коллекторе увеличивается, а ток / к несколько снижается. [27]
В fimax это условие тем более выполняется. Если при В Smin степень насыщения транзисторов была принята минимальной ( равной единице), то при В Втах степень насыщения S 5max / Smln. При Bmax Brain степень насыщения S 1 и транзисторы глубоко насыщены. [28]
Из всего этого следует, что если транзисторы в схеме имеют слишком глубокое насыщение, то колебательный режим мультивибратора может нарушиться, так как в процессе разряда конденсатора избыточный заряд в базе может не успеть рассосаться и транзистор не выйдет из насыщения. Поэтому при расчете схемы степень насыщения транзисторов устанавливается минимальной, близкой к границе насыщения. [29]
 |
Схема реализации [ IMAGE ] Схема объединения базо-логической схемы И вых логических элементов с ДШ. [30] |
Страницы: 1 2 3 4