Степень - насыщение - транзистор
Cтраница 3
Схема объединения базовых элементов ( см. рис. 1.24 а), в которой используется диодная сборка из ДШ с общим катодом и раздельными анодами, приведена на рис. 1.27. На рис. 1.24 в приведена электрическая схема базового элемента, аналогичная схеме 1.24 а, но отличающаяся от нее тем, что коллекторный p - n - переход переключательного транзистора шунтирован ДШ. Такое включение шунтирующего ДШ уменьшает степень насыщения переключательного транзистора и логический перепад. [31]
В рассматриваемом ключе включение транзистора производят большим базовым током / бтах. Непосредственно перед выключением базовый ток мал, и степень насыщения транзистора s невелика. [32]
В основной резистивно-транзисторной схеме уровень входного тока по одному входу должен быть выбран достаточным для быстрого включения транзистора. Появление входных сигналов на нескольких входах вызывает увеличение степени насыщения транзисторов, что, в свою очередь, приводит к задержке переключения транзистора в закрытое состояние за счет большого времени рассасывания. [33]
Уменьшение времени задержки в схемах ТТЛ-типа до 3 не может быть обеспечено введением входного многоэмиттерного и переключающих транзисторов Шоттки. Шунтирование их коллекторных переходов диодами Шоттки способствует существенному ограничению степени насыщения транзисторов и повышению быстродействия схем. [34]
 |
Мультивибратор с регулируемым смещением. [35] |
Осуществлять плавную регулировку частоты с помощью переменных конденсаторов далеко не всегда возможно. Удобнее пользоваться переменными резисторами R, хотя при этом меняется степень насыщения транзисторов. [36]
 |
Принципиальные схемы 7. С-мультивибратора ( а и мультивибратора Ройера ( б. [37] |
Плав-ная регулировка частоты с помощью переменных конденсаторов не всегда возможна, особенно в низкочастотном диапазоне. Удобнее пользоваться переменными резисторами R, хотя при этом изменяется степень насыщения транзисторов. [38]
Осуществлять плавную регулировку частоты с помощью переменных конденсаторов далеко не всегда возможно. Удобнее пользоваться переменными резисторами R, хотя при этом меняется степень насыщения транзисторов. [39]
Как показано в [5], такое включение обеспечивает снижение тока базы насыщенного транзистора и накопленного в нем избыточного заряда в а / / ( 1-а /) раз. Поскольку в КИД-структурах aj0 5, это приводит к заметному ограничению степени насыщения транзистора. [40]
 |
Схема счетного запуска триггера. [41] |
Отметим, что выражение (5.220) является приближенным. Реально граничная частота fmax зависит от величины входного сигнала, температуры и степени насыщения транзисторов. [42]
Это исключает возможность одновременной выборки нескольких строк. В заключение заметим, что диоды ДЗ, Д5 введены для ограничения степени насыщения транзисторов ТЗ и Т4, что может быть реализовано также с помощью диодов Шоттки. [43]
Стабильность частоты мультивибратора на транзисторах в значительной степени зависит от тока / к0) который изменяется при изменениях температуры. Температура влияет также на коэффициент усиления по току, при изменениях которого изменяется степень насыщения транзисторов, а следовательно, и время рассасывания неосновных носителей. На частоту транзисторного мультивибратора влияют также отклонения питающего напряжения. Поэтому для увеличения стабильности применяют схемы синхронизации от генераторов синусоидальных колебаний. [44]
При минимальном числе нагрузок время рассасывания избыточного заряда увеличивается при увеличении номинала источника питания. Если сопротивление коллектора не изменяется, то увеличение напряжения питания ведет к росту степени насыщения транзистора и тока его включения. Выключающий ток, рассасывающий избыточный заряд, практически остается постоянным. Особенно сильно ограничение по коллекторному питанию при максимальных температурах, где постоянная времени рассасывания и коэффициент усиления максимальны, а t / бэ и рассасывающий ток минимальны. [45]
Страницы: 1 2 3 4