Степень - насыщение - транзистор
Cтраница 4
Помимо теплового тока, на нестабильность частоты в мультивибраторе влияют нестабильность напряжений на переходах транзистора и зависимость величины В от температуры. Последняя проявляется в изменении момента начала процесса регенерации, так как с изменением В меняется степень насыщения транзисторов. [46]
Для того чтобы условия отсечки и насыщения транзисторов в триггере соблюдались, нагрузку R, учитывают при расчете статического режима триггера. Если используют уже спроектированный ( например, модульный или микромодульный) триггер, то допустимая величина нагрузки зависит от степени насыщения транзистора в ненагруженном триггере. [47]
 |
Схема транзисторного силового блока. [48] |
При проектировании силовых блоков большое значение имеет выбор схемы запуска выходных транзисторов. Для резкого сокращения времени рассасывания неосновных носителей из области базы мощных транзисторов при их работе в режиме коммутатора необходимо выбирать степень насыщения транзистора при его открывании не выше 1 4 или подавать на базу транзистора в момент его запирания запирающее напряжение от источника с малым внутренним сопротивлением. [49]
Однако и это полностью не решает проблему температурной стабильности мильтивибратора. Улучшить стабильность можно, уменьшая сопротивление резистора Re, но при этом приходится одновременно уменьшать и сопротивление резистора RK, чтобы не увеличивать степень насыщения транзистора. Это приводит к тому, что с повышением температурной стабильности мультивибратор становится более низкоомным и потребляет большую энергию. [50]
В В квазиустойчивом состоянии, когда транзистор Ti насыщен, его коллекторный ток течет через резистор Ki, открытый диод Д и резистор R2, а также через конденсатор Сг и резистор Rfo. Если считать, что параметры б2, Сь Rc, Кб1 и RKz имеют те же значения, что и в схеме рис. 5.58, то для обеспечения той же самой степени насыщения транзистора TI необходимо обеспечить равенство RKi RiR2 / ( Ri R2) - Соотношение между RI и R2 можно определить из анализа длительно устойчивого состояния равновесия схемы. Чтобы диод Д не отпирался до конца процесса восстановления, необходимо, чтобы напряжение на его аноде оставалось отрицательным по отношению к катоду. [51]
В схемах мостовых блокинг-генераторов обмотка обратной связи WK соединена последовательно с блокирующим диодом Дь поэтому преждевременное запирание последнего может оказывать существенное влияние на протекание процессов не только на этапе формирования импульса, но также и на процессы восстановления нал-ряжения на коллекторе и во время паузы. Действительно, при соответствующих параметрах схемы конденсаторы могут разрядиться до напряжения t / n раньше момента выхода транзистора из насыщения в активную область работы. При этом если степень насыщения транзистора большая и разряд конденсаторов имеет колебательный характер, то запирающее напряжение на диоде может достигать значительной величины. [52]
 |
Схема триггера Шмитта на основе ОУ ( а и его характеристика ( б 72. [53] |
Когда напряжение мвх достигает значения [ / Срб, транзистор VT2 выходит из режима насыщения. В схеме развивается лавинообразный процесс переброса во второе устойчивое состояние, в котором транзистор VT будет открыт, а транзистор VT2 закрыт. Дальнейшее увеличение ивх увеличивает степень насыщения транзистора VT и не вызывает изменения вых. Напряжение [ / срб называют напряжением срабатывания триггера Шмитта. [54]
К шинам столбца подключают управляющие транзисторы, генераторы тока и усилители считывания, как показано на рис. 9.17. При считывании ток / ыб. Таким образом получают большой ток считывания, обеспечивающий быстрый заряд емкостей шин столбцов и малое время считывания. Время записи мало вследствие малой, очень близкой к единице, степени насыщения транзисторов в элементах памяти. [55]
Биполярные ИС, выполненные по технологии ЭСЛ, обладают наибольшим быстродействием из всех интегральных схем. Однако их массовое применение ограничено из-за большой потребляемой мощности. Одно из наиболее перспективных направлений развития биполярной технологии - ТТЛШ, в которой удалось повысить быстродействие за счет снижения степени насыщения транзисторов, сохранив ( а в отдельных случаях даже уменьшив) потребляемую мощность такой же, как и у обычных схем ТТЛ. [56]
В момент входное напряжение х совершает положительный перепад и становится близким к нулю. Под действием напряжения на конденсаторе Ср, которое теперь приложено между базой и эмиттером, создается обратный ток базы, транзистор выходит из насыщения и запирается. Этот процесс создает некоторую временную задержку ( на рис. 12.8, б не показана), величина которой зависит от степени насыщения транзистора и обратного тока базы. Выбором параметров схемы стремятся сделать задержку минимальной. [57]
Страницы: 1 2 3 4