Cтраница 1
Адатомы, находящиеся в пределах xs от кромки спирали роста, могут участвовать в росте кристалла, а все остальные адатомы стремятся испариться до того, как они достигнут кромки растущей спирали. По мере увеличения расстояния между кромками зависимость скорости роста кристалла v от степени переохлаждения приближается к зависимости первой степени. В более общем случае, когда грань кристалла содержит несколько спиралей роста, между ними возникает особое взаимодействие. [1]
Адатомы захватываются заштри кованными ( ступенчатыми) участками. [2]
Адатомы ( или адионы) - это ионы уже разрядившиеся на электроде и претерпевающие затруднения, связанные с поверхностной диффузией, либо замедленным встраиванием их в кристаллическую решетку. [3]
Адатомы меди, получая свободу перемещения в двойном слое, благодаря поверхностной диффузии выделяются на поверхности в виде микрокристалликов чистой меди. Подобное накопление меди приводит к образованию на поверхности латуни рыхлого не защитного слоя губчатой меди, не препятствующего дальнейшему растворению атомов цинка из нижележащих слоев сплава. Наоборот, развитая поверхность осадка меди повышает эффективность катодного процесса ( например, кислородной деполяризации) и способствует ускоренной коррозии. В условиях коррозии латуни по механизму обесцинкования, в основном, и реализуется этот третий путь. [4]
Соответственно адатомы, попадающие на кристаллическую поверхность на расстояниях от ближайшей ступени, значительно больших Xs, скорее всего испарятся еще до того, как достигнут ступени; тогда скорость роста оказывается ниже, чем дает линейный закон. [5]
Предполагается, что любые адатомы выходят из самого поверхностного слоя. [6]
Изучение явления электрокатализа адатомами чрезвычайно важно для развития теории электрокатализа вообще. С точки зрения практики заслуживает внимания более детальное выяснение вопроса о стабильности свойств электрокатализаторов, модифицированных адатомами, при длительных периодах их работы. [7]
Скорость разряда на адатомах водорода ( электрохимическая десорбция) зависит от поверхностной концентрации водородных атомов в первой степени, а скорость рекомбинации - во второй. Поэтому на металлах, слабо адсорбирующих водород, удаление его с поверхности должно осуществляться главным образом за счет электрохимической десорбции. [8]
Реконструкция должна положить начало образованию соединения между адатомами и атомами подложки, но чтобы это произошло, между атомами должен возникнуть обмен зарядами. В этих условиях модели твердых шаров могут сильно ввести в заблуждение. Ниже мы обсудим два примера хемосорбции для того, чтобы проиллюстрировать, во-первых, перечисленные выше правила, а во-вторых, методы, описанные в предыдущих главах. [9]
При выводе этого уравнения используется предположение, что адатомы совершают простые гармонические колебания, ( и2) - есть среднеквадратичная амплитуда колебания в направлении. [10]
С другой стороны, если сродство к электрону А адатома больше, чем ф металла, то электрон перейдет от подложки к адатому. Примером этого может служить адсорбция фтора ( / 3 6эВ) на цезии ( ф - 1 8эВ); здесь образуется соединение фторид цезия. Третий случай имеет место при / ф А; здесь адатом остается в нейтральном состоянии. [12]
Чернов [17] исследовал форму профиля макроступени, которая питается адатомами как с вершины торца, так и от основания. Он предположил, что макроступень достаточно шероховата, чтобы обойтись без ( элементарных) ступеней для своего роста. В результате развивается S-образный профиль, ибо ступень нависает у вершины и выпячивается у основания из-за близости примыкающих граней. [13]
Итак, возможны два механизма распространения ступеней роста: а) адатомы входят непосредственно в места роста; б) адатомы входят в места роста после поверхностной диффузии. Оценка вклада каждого из этих механизмов в процесс электрокристаллизации представляет сложную экспериментальную задачу. [14]
Итак, возможны два механизма распространения ступеней роста: а) адатомы входят непосредственно в места роста; б) адатомы входят в места роста после поверхностной диффузии. [15]