Cтраница 3
Полный перенос заряда ( K z) соответствует полному разряду иона с образованием адсорбированного на поверхности атома М - адатома. Частичный перенос заряда может иметь место и при адсорбции незаряженной частицы, когда образуется ( частично заряженный) адсорбированный ион - адион. [31]
Чем больше Х0, тем выше скорость поверхностной диффузии и тем равномернее ( при прочих равных условиях) распределены адатомы. [32]
Адатомы, находящиеся в пределах xs от кромки спирали роста, могут участвовать в росте кристалла, а все остальные адатомы стремятся испариться до того, как они достигнут кромки растущей спирали. По мере увеличения расстояния между кромками зависимость скорости роста кристалла v от степени переохлаждения приближается к зависимости первой степени. В более общем случае, когда грань кристалла содержит несколько спиралей роста, между ними возникает особое взаимодействие. [33]
Итак, возможны два механизма распространения ступеней роста: а) адатомы входят непосредственно в места роста; б) адатомы входят в места роста после поверхностной диффузии. Оценка вклада каждого из этих механизмов в процесс электрокристаллизации представляет сложную экспериментальную задачу. [34]
Итак, возможны два механизма распространения ступеней роста: а) адатомы входят непосредственно в места роста; б) адатомы входят в места роста после поверхностной диффузии. [35]
Итак, возможны два механизма распространения ступеней роста: а) адатомы входят непосредственно в места роста; б) адатомы входят в места роста после поверхностной диффузии. Оценка вклада каждого из этих механизмов в процесс электрокристаллизации представляет сложную экспериментальную задачу. [36]
В большинстве случаев скорость электроосаждения здесь определяется транспортом ионов, стадией разряда ионов, поверхностной диффузией уже разрядившегося иона ( адатома), стадией вхождения адатома в кристаллическую решетку. [37]
Основная трудность, связанная с попыткой понять и применить эти правила возникает тогда, когда нужно решить вопрос о том, образуют ли адатомы отдельный слой на поверхности подложки или нет. [39]
Характер распределения серебра по железу после выдержки его в азотнокислом растворе серебра ( HNO3 - 40 г / л, AgNO3 - 1 г / л, анальгин - 0 6 г / л в течение 1 мин. [40] |
Контактно выделившийся металл не образует сплошного покрытия, а присутствует на поверхности в виде отдельных островков типа коралловых атоллов с просветами между ними, частично заполненными единичными адатомами. Подобная картина наблюдается и при контактном выделении ряда других металлов - кадмия, свинца, таллия. Такой осадок не создает замкнутых препятствий анодному растворению основного металла, повышая в то же время перенапряжение водорода. [41]
Воспроизводимое избирательное каталитическое действие граней кристалла свидетельствует о роли геометрических факторов при образовании адсорбционных комплексов и, в частности, заставляет искать структурные аналогии между субстратом ( адатомами) и катализатором. Высокая скорость реакции на гранях ( 111) указывает на соответствие связи размеров молекулы NH3 и двухмерной решетки грани октаэдра ( рис. 14.20): расстояние между атомами Н и симметрия молекулы NH3 близко соответствуют межплоскостным расстояниям и симметрии решетки меди. Оба условия для грани ( 100) выполняются значительно хуже. [42]
Основные процессы при гетерогенной кон-денсации. [43] |
Обычно для вычислений делаются следующие допущения: присоединяться к агрегатам и отрываться от них могут только единичные атомы, но не пары и не большие кластеры; подвижны только адатомы, а не зародыши; поверхность подложки однородна и изотропна. [44]
Теоретическое рассмотрение энергетических факторов при электрокристал-лизации металлов показывает [11], что наиболее вероятным процессом является перенос иона на плоскую поверхность с образованием адиона и последующей поверхностной диффузией в виде адиона или адатома к месту встраивания в кристаллическую решетку с окончательным переносом заряда для адиона. [45]