Ад-атом
Cтраница 1
Ад-атомы в процессе электрокристаллизации участвуют или в образовании кристаллических зародышей, или в их росте. При этом атомы должны принять ориентированное положение в кристаллической решетке. Торможение в этой стадии электродного процесса сопровождается возникновением перенапряжения. [1]
Ад-атомы, которые находятся на поверхности металла в состоянии металлической связи, это ионы металла, первоначально выделяющиеся на поверхности при катодном протекании реакции перехода. При протекании анодного процесса состояние ад-атома соответствует последнему состоянию иона металла, из которого он в результате реакции перехода попадает в раствор сольватированным в той или иной степени. [2]
Ад-атомы в процессе электрокристаллизации участвуют или в образовании кристаллических зародышей, или в их росте. При этом атомы должны принять ориентированное положение в кристаллической решетке. Торможение в этой стадии электродного процесса сопровождается возникновением перенапряжения. [3]
 |
Схематическое изображение механизма катодного осаждения металла. [4] |
Затем этот ад-атом диффундирует на катоде до какого-нибудь места роста кристалла, после чего он сможет непосредственно врасти в кристаллическую решетку. Электрические силы поля в двойном слое не оказывают никакого влияния: на нейтральный ад-атом, так что он может беспрепятственно диффундировать на катоде до места роста кристалла. Эту теорию в дальнейшем подтвердила теория роста кристаллов Косселя ( и Странского, которая при определенных условиях применима и для катодного осаждения металла. По этой теории в результате сил притяжения элементарной ячейки, находящейся в непосредственном соседстве - с местом размещения в решетке кристаллизация идет в двойном слое, несмотря на изложенные высокие электрические силы поля. Следовательно, влияние электрического поля не может быть определено так, как это требует теория Брандеса Эрдей-Груца и Фоль-мера. [5]
При вхождении ад-атомов у имеет отрицательное значение. Это означает, что концентрация ад-атомов на всей поверхности одинаково велика. [6]
Состояние, аналогичное ад-атому на электроде Me / Mez, можно себе представить и для электрона на окислительно-восстановительном электроде. Правда, благодаря высокой электронной проводимости металла характеристики такого ад-электронного состояния никак не зависят от скорости реакции перехода и не фигурируют в качестве отдельного параметра в уравнениях, связывающих между собой плотность тока и потенциал. [7]
Если наступает обеднение ад-атомами и возникает перенапряжение кристаллизации, то локальная плотность тока iu вблизи ступеней роста больше, чем на средних участках поверхности. [8]
Таким образом, энергия ад-атомов не является независимой от потенциала электрода, как это можно было бы предполагать на основе упрощенной теории. Это обстоятельство могло бы ска - X зываться на скорости выхода из решетки и встраивания ад-атомов в решетку в местах роста. Объяснение этого явления возможно при учете того обстоятельства, что ад-атомы вне целой грани решетки уже частично ( у) внедряются в двойной слой. [9]
Следовательно, в этом лучае ад-атомы больше не входят в места или ступени роста. [10]
Наконец, торможение при вхождении ад-атомов в кристаллическую решетку или при обратном выходе их из нее приводит к появлению перенапряжения кристаллизации. [11]
СрОСт мест роста и сад ад-атомов, а скорость более или менее заметной обратной реакции ( стадии распада решетки) пропорциональна срост. [12]
Возникновение перенапряжения кристаллизации объясняется отклонением концентрации ад-атомов сад от равновесной концентрации сад. [13]
Возникновение перенапряжения кристаллизации объясняется отклонением концентрации ад-атомов Сад от равновесной концентрации Сад. [14]
При равновесных условиях концентрации вакансий и ад-атомов имеют определенные значения при каждой определенной температуре; эти значения поддерживаются равновесными реакциями их образования в местах зарождения или стока, например в местах излома ступеней роста. Более того, даже при отсутствии ступеней роста или других мест зарождения дефектов возможно образование пар дефектов на атомно-гладкой поверхности, когда какой-либо атом из поверхностного слоя переходит в ад-состояние и затем путем поверхностной диффузии удаляется от образовавшейся при этом поверхностной вакансии. Этот процесс можно уподобить образованию дефектов Френкеля в объеме кристалла, при этом ад-атом выступает аналогом междуузельного атома. [15]
Страницы: 1 2 3 4