Ад-атом
Cтраница 3
В отсутствие тока электрод принимает равновесный потенциал ( TI 0) и постоянную равновесную концентрацию ад-атомов с по всей поверхности. Флейшман и Ферск 188 первыми теоретически рассмотрели эти нестационарные процессы. Однако изменение распределения концентрации во времени не было четко разобрано в этой работе, а сразу была дана зависимость плотности тока от времени. Дамянович и Бокрис 186, которые еще раз рассмотрели эту задачу при тех же предпосылках и тем же методом и получили такие же теоретические результаты, что и Флейшман и Ферск ш, четко вывели уравнение для распределения концентрации во времени. [31]
Условие ( о С А; означает, что частота настолько мала, что концентрация ад-атомов повсеместно может принять почти стационарное значение. [32]
При этих условиях поверхностная диффузия и глубина ее проникновения Я0 настолько велики, что концентрация ад-атомов повсюду остается очень близкой к равновесной концентрации и поэтому и здесь возникает только перенапряжение перехода. [33]
Наконец, необходимо еще рассмотреть случай, когда Я0 С Здесь возможно только небольшое пополнение ад-атомами из ступеней роста. [34]
Предварительная тренировка электрода в таких случаях не всегда помогает, поскольку регенерация электрода может сопровождаться электроокислением ад-атомов. Иногда эффект их образования удается подавить путем подбора концентрации Hg11 в растворе. [35]
Критический зародыш может образовываться только при последовательном осаждении ( растворении) атомов, начиная с одного единственного ад-атома или пустого места в плоскости решетки. [36]
 |
Поверхностная диффузия между параллельными ступенями роста с расстоянием между ними 2х0. [37] |
Поэтому в стационарном состоянии ток через места роста не протекает, с оэ - это равновесная концентрация ад-атомов, соответствующая потенциалу е е0 - [ - TJ. Однако между ступенью роста и удаленным участком поверхности устанавливается градиент концентрации. Концентрация ад-атомов уменьшается от с с до с CQO при переходе от расстояния от ступени х 0 до х оо. В общем случае на некотором расстоянии находится другая ступень роста. От этих ступеней роста диффундируют ад-атомы, причем они анодно переходят в раствор по реакции перехода б - а ( рис. 103) с полной сольватацией. При осаждении происходит обогащение ( с с, ст с) ад-атомами, которые диффундируют к ступеням роста. [38]
По Геришеру, между lg сад и обратной абсолютной температурой 1Т существует линейная зависимость с энтальпией образования ад-атомов 10 5 1 ккал / молъ. [39]
На твердых электродах электролитические осадки часто выделяются в двух энергетических состояниях: в виде адсорбированных атомов ( ад-атомов) и в виде кристаллической фазы. Потенциалы электропревращения продуктов накопления в обоих энергетических состояниях различаются между собой. [40]
 |
Ямки травления на точках выходов дислокаций, показанные при помощи просвечивающей микрофотографии. Следует отметить, что подобные точки образуются не всегда. [41] |
Представляется, что полеионная микроскопия [100] является единственным методом, при помощи которого можно обнаружить поверхностные вакансии, ад-атомы или выступы на ступенях. Достигнут некоторый успех в исследовании роли таких особенностей в реакциях и процессах, протекающих на границе раздела газ - металл. [42]
Это справедливо и для отделения атомов от ступени роста ( положение в на рис. 103) с образованием ад-атомов. [44]
В результате электрохимического превращения по реакции: перехода при Я0 с х0 переменный ток будет вызывать периодические колебания концентрации ад-атомов, почти равномерно распределенных по всей поверхности за исключением очень узких участков на ступенях роста. Существенного накопления или расходования атомов на ступенях роста не происходит. Поэтому следует учитывать, что омическая или емкостная компоненты импеданса кристаллизации не зависят от частоты. [45]
Страницы: 1 2 3 4