Ад-атом

Cтраница 2

Вначале необходимо рассмотреть наряду с замедленным переходом ад-атомов только поверхностную диффузию ад-атомов как замедленную стадию. Выход ад-атомов из полукристаллических положений ( г) или из ступеней ( в) или вхождение в эти положения или ступени по сравнению с диффузией должны происходить быстро. [16]

Локальное распределение концентрации ад-атомов [ по ур. ( 2. 381 ] для двух параллельных ступеней роста, отстоящих друг от друга на расстоянии 2х0, после наложения перенапряжения т 40 мв для Я0 / а. 0 0 2 и различных моментов времени t ( за единицы приняты константы времени t l / D и 0 x / D. выход из ступени роста и вхождение в нее не замедленны. [17]

Перенапряжение кристаллизации возникает только при изменении концентрации ад-атомов. [18]

Эта зависимость пропадает только при слабой разупоря-доченности, когда ад-атомы и вакансии можно рассматривать как точечные дефекты. [19]

Отрицательное значение v означает вхождение в места или ступени роста ад-атомов при катодной ( отрицательной) плотности тока. [20]

Это неравенство означает, что помимо замедленности вхождения или выхода ад-атомов имеется еще замедленность поверхностной диффузии и реакции перехода. [21]

Эта способность может считаться постоянной, если степень закрытия поверхности ад-атомами очень мала. [22]

Изменение потенциала может оказывать лишь небольшое влияние яа адсорбционное равновесие и концентрацию ад-атомов 2 в. [24]

Полученное уравнение показывает, что с увеличением концентрации ионов серебра в электролите число ад-атомов, а следовательно, и вероятность образования зародышей при кристаллизации уменьшается. [25]

Начальное перенапряжение определяется фактически энергией, необходимой для локализации восстанавливающихся атомов металла ( образованием ад-атомов) и создания элементов новой фазы - докритических плоских ( двухмерных) зародышей. Последующий рост их до устойчивого ( критического) в данных условиях объемного зародыша ( г гкр) сопровождается понижением локальной поляризации до некоторого минимума, который соответствует, очевидно, энергии разряда ионов на одноименной основе, поскольку дальнейший рост зародыша критических размеров происходит уже самопроизвольно. [26]

Изменение гидратации иона при его движении к точке разряда. [27]

Или же разряд происходит на любой точке поверхности твердого электрода с образованием адсорбированного атома ( ад-атом), который диффундирует по поверхности и встраивается в кристаллическую решетку. Разницу между ад-атомом и ад-ионом установить довольно трудно, так как адсорбированная частица скорее всего обладает некоторым парциальным зарядом, меньшим по абсолютному значению заряда иона в растворе. Рост катодного осадка определяется либо разрастанием двумерных зародышей по поверхности, либо ростом трехмерных зародышей не только в ширину, но и в высоту. При разрастании двумерных зародышей поверхность покрывается моноатомным слоем осаждающегося металла. Образование нового слоя металла происходит после покрытия всей поверхности моноатомньш слоем и возникновения на ней новых двумерных зародышей. Такой механизм роста наиболее вероятен на идеально гладкой поверхности без дефектов кристаллической решетки. [28]

Схема роста двухмерного зародыша ( В. В. Скорчелетти. [29]

После завершения ряда растущей плоскости наиболее вероятным местом роста кристалла будет положение 2, где присоединяющийся ад-атом ( ад-ион) имеет одного соседа и одновременно связан с поверхностью электрода. [30]

Страницы: 1 2 3 4