Cтраница 2
В идеальных условиях ( при отсутствии продольного перемешивания суспензии) изменение пересыщения по высоте взвешенного слоя должно подчиняться логарифмическому закону. Однако в реальных аппаратах продольное перемешивание значительно [35, 36], и оно способствует выравниванию пересыщения по всему слою. [16]
В предыдущем сообщении [ J ] приводились соображения относительно характера изменения пересыщения раствора в процессе совместной кристаллизации азотнокислого калия и бихромата калия. На основании этих соображений объяснялось влияние бихромата калия на кристаллизацию KN03 - Для проверки сделанных нами ранее предположений были проведены дополнительные исследования, позволяющие установить ход изменения пересыщения раствора по отношению как к азотнокислому калию, так и к бихромату калия. Результаты этих исследований приводятся в данной работе. Кроме того, приводится вывод приближенного уравнения, связывающего степень захвата примесей с исходным составом раствора. Наличие такой связи было подтверждено экспериментально в ранее опубликованных работах I1 3 ], в которых было установлено, что коэффициент захвата примесей К остается почти постоянным. [17]
Прочностные свойства дисперсных структур твердения минеральных вяжущих веществ в значительной степени определяются кинетикой изменения пересыщения в жидкой фазе в процессе гидратации исходных безводных соединений. К первому относятся полуводный гипс и монокальциевый алюминат, у которых уровень лавинной кристаллизации гидратов близок к мета-стабильной растворимость ( МР) безводных соединений. В суспензиях этих веществ процесс гидратации протекает при максимально возможных пересыщениях, определяемых величиной МР исходных соединений. Ко второму типу относятся окись кальция, трех-кальциевый алюминат. Концентрационный уровень лавинной кристаллизации их гидратов лежит много ниже МР безводных соединений. В процессе гидратации ЗСаО-А1203 и СаО их МР не реализуется. У вяжущих этого типа в отличие от первого дисперсность исходного вяжущего оказывает существенное влияние на величину действующею пересыщения и прочность возникающих структур твердения. [18]
Прочностные свойства дисперсных структур твердения минеральных вяжущих веществ в значительной степени определяются кинетикой изменения пересыщения в жидкой фазе в процессе гидратации исходных безводных соединений. К первому относятся полуводный гипс и монокальциевый алюминат, у которых уровень лавинной кристаллизации гидратов близок к мета-стабильной растворимости ( МР) безводных соединений. В суспензиях этих веществ процесс гидратации протекает при максимально возможных пересыщениях, определяемых величиной МР исходных соединений. Ко второму типу относятся окись кальция, трех-кальциевый алюминат. Концентрационный уровень лавинной кристаллизации их гидратов лежит много ниже МР безводных соединений. В процессе гидратации ЗСаО-А1203 и СаО их МР не реализуется. У вяжущих этого типа в отличие от первого дисперсность исходного вяжущего оказывает существенное влияние на величину действующего пересыщения и прочность возникающих структур твердения. [19]
Прочностные свойства дисперсных структур твердения минеральных вяжущих веществ в значительной степени определяются кинетикой изменения пересыщения в жидкой фазе в процессе гидратации исходных безводных соединений. К первому отнэсятся полуводный гипс и монокальциевый алюминат, у которых уровень лавинной кристаллизации гидратов близок к мета-стабильной растворимость ( МР) безводных соединений. В суспензиях этих веществ процесс гидратации протекает при максимально возможных пересыщениях, определяемых величиной МР исходных соединений. Ко второму типу относятся окись кальция, трех-кальциевый алюминат. Концентрационный уровень лавинной кристаллизации их гидратов лежит много ниже МР безводных соединений. В процессе гидратации ЗСаО-А1203 и СаО их МР не реализуется. У вяжущих этого типа в отличие от первого дисперсность исходного вяжущего оказывает существенное влияние на величину действующею пересыщения и прочность возникающих структур твердения. [20]
На рис. 9, а, б, в показаны схематически в упрощенном виде ход изменения пересыщения, скорости образования зародышей и роста объема новой фазы; рассмотрены только начальные стадии процесса, в которых пересыщение практически не меняется. [21]
Как видно из рисунка, в каждом из этих интервалов х меняется очень медленно при изменениях пересыщения в 100 раз. [22]
Данные таблицы свидетельствуют о том, что уравнение (V.19) в данном случае оказывается справедливым в довольно широком интервале изменения пересыщений, за исключением очень больших и очень маленьких исходных пересыщений. Линейная зависимость сохраняется при кристаллизации 60 - 70 % всего переходящего в твердую фазу вещества. [23]
На основе изменения температуры раствора во времени согласно растворимости Ср и изменения концентрации раствора Сд во времени ( рис. 3) для каждого опыта определялось изменение абсолютного пересыщения ДС во времени. [24]
Являясь термодинамической движущей силой кристаллизации, пересыщение определяет линейную скорость роста кристаллов и - / ( ДС) г при l z 2, изменения которой когерентны изменениям пересыщения. [25]
Являясь термодинамической движущей силой кристаллизации, пересыщение определяет линейную скорость роста кристаллов u - f ( AC) z при l z 2, изменения которой когерентны изменениям пересыщения. [26]
![]() |
Зависимость отношения текущего значения. [27] |
Из выражений ( 16) и ( 17) следует, что чем больше коэффициент диффузии, начальное пересыщение и степень тур-булизации раствора, влияющая на толщину пограничного слоя, тем выше скорость изменения пересыщения. [28]
Пересыщение также изменяется в процессе кристаллизации. Изменение пересыщения зависит в первую очередь от скорости испарения. Скорость испарения единицы массы растворителя при прочих равных условиях зависит от поверхности жидкости в кристаллизаторе S. Возникающий избыток растворенного вещества распределяется в объеме раствора W. Скорость нарастания пересыщения в отсутствие затравки пропорциональна S / W. Если взять, как это обычно делается, цилиндрический сосуд радиусом г, то пересыщение, мало изменяющееся при большой высоте жидкости в нем, очень быстро увеличивается, когда жидкости остается немного. [29]
![]() |
Рост грани кристалла, содержащей выход винтовой дислокации ( а и развитие спирали при росте ( о. [30] |