Cтраница 3
Обычно на поверхности грани в процессе роста работает всего несколько центров роста, а иногда и один. При изменении пересыщения на поверхности появляется множество мелких центров. Впоследствии в результате отбора остается несколько новых центров роста кристалла. При восстановлении прежнего пересыщения восстанавливаются и старые центры роста. [31]
![]() |
Начальные условия появления тумана над поверхностью воды. [32] |
Из таблицы следует, что критическое пересыщение сильно зависит от температуры, при которой начинается образование тумана. Например, изменение пересыщения пара на 0 01 соответствует изменению температуры примерно на 2 С. [33]
Критический зародыш становится стабршьным после образования двух связей на атом. Таким образом, изменение пересыщения должно сопровождаться изменением числа атомов в критическом и стабильном зародышах, приводящим к иной ориентации. [34]
Таким образом, изменение пересыщения со временем неразрывно связано с изменением размеров частиц и функции распределения последних по их размерам. Поэтому при теоретическом анализе кинетики кристаллизации законы изменения пересыщения со временем в течение процесса не могут быть установлены без одновременного установления закона изменения функции распределения возникающих кристалликов по их размерам. Это обстоятельство, конечно, затрудняет теоретический анализ, но зато приводит к предсказанию новых фактов, характеризующих изменение распределения кристалликов по их размерам при кристаллизации и по окончании последней. Экспериментальная проверка этих предсказаний может дать дополнительные подтверждения положенных в основу анализа предположений и позволит глубже изучить механизм процесса. [35]
Из теоретических и практических данных известно, что пересыщение пара сильно изменяется в течение всего процесса. В правой части рис. 12 приведена типичная кривая изменения пересыщения пара в процессе конденсации паров на поверхности. Из рисунка видно, что пересыщение пара вначале увеличивается и по достижении максимального значения снижается. [36]
![]() |
Пересыщение пара по длине трубы конденсатора. [37] |
Уравнение (5.4), отражающее зависимость между давлением пара и температурой газовой смеси, справедливо для условий, при которых 55Кр и образование зародышей можно не учитывать. Этим условиям соответствуют приведенные на рис. 5.3 кривые, показывающие изменение пересыщения пара по мере охлаждения газовой смеси и конденсации пара. [38]
Уравнение (5.4), отражающее связь между давлением пара и температурой газовой смеси, справедливо для условий, при которых S SKp и образование зародышей можно не учитывать. Этим условиям соответствуют приведенные на рис. 5.4 кривые, показывающие изменение пересыщения пара по мере охлаждения в трубчатом i г конденсаторе воздуха, содержащего пар воды. [39]
![]() |
Растворимость кристаллов. [40] |
Первый интеграл также уменьшается, так как в противном случае возрастало бы пересыщение, что невозможно при спонтанном процессе. После длительного созревания разность первого и второго интегралов уменьшится настолько, что скорость изменения пересыщения раствора станет пренебрежимо малой. [41]
![]() |
Данные о захвате примесей при изотермическом снятии пересыщения водных растворов солеи. [42] |
Какое из этих условий выполнялось при сокристаллизации, когда определяли значения Яэ / -, приведенные в табл. 4, неизвестно. Чтобы решить этот вопрос, нужно поставить специальные исследования по изучению сокристаллизации в условиях изменения пересыщения на несколько порядков. Обычно же пересыщение меняют менее, чем на порядок. [43]
Они могут способствовать стабилизации системы или уменьшать ее устойчивость. Механизм их действия сводится к изменению растворимости основного вещества и, следовательно, к изменению истинного пересыщения раствора. [44]
Приведенные данные относятся к кристаллизации во второй метастабильной области. Следует, однако, подчеркнуть, что речь идет не об изменении nN с изменением пересыщения вообще. Просто для некоторых солей, природа которых такова, что кристаллизация возможна в очень широком интервале Ас, наблюдается не один порядок процесса возникновения зародышей, а два или больше. Каждый отвечает определенному интервалу пересыщений. [45]