Влияние - соседний атом
Cтраница 1
Влияние соседних атомов связано с положением активного центра на неоднородной поверхности. [1]
Это влияние соседних атомов имеет большое значение при определении различных групп; таблицей поправок следует пользоваться с большой осторожностью, так как частоты колебаний для различных групп могут накладываться друг на друга. Кроме того, вопрос о соответствии дайной полосы поглощения определенной группировке атомов осложняется появлением обертонов и комбинационных частот, приводящих к усилению полос поглощения при низких частотах. Поэтому желательно сочетать использование таблиц поправок с применением метода сравнения спектров поглощения полимеров со спектрами соответствующих модельных соединений с известным строением молекулы. В результате дальнейшего развития спектроскопии в настоящее время для изучения ориентированных полимеров широко применяется инфракрасная спектроскопия в поляризованном свете. Это может оказаться ценным для установления связи между полосами поглощения и определенными группировками атомов и дать полезные стереохимические сведения о конфигурации и ориентации молекул или участков молекул. [2]
Закономерности влияния соседних атомов на интенсивность и частоту валентного колебания СО карбоновых кислот сходны с закономерностями, установленными у кетонов. [3]
Бутлеровым и В. В. Марковни-ковым положения о влиянии соседних атомов и групп на устойчивость связей в молекулах органических соединений может быть отчетливо иллюстрировано на примере резкого изменения устойчивости глюкозидной связи в макромолекуле целлюлозы к действию гидролизующих агентов в результате образования новых функциональных групп ( в различных положениях) в элементарном звене макромолекулы целлюлозы или при изменении прочности межмолекулярных связей. [4]
К настоящему времени довольно подробно изучено влияние соседних атомов на частоту валентного колебания СО. Как у кетонов, так и у альдегидов частота этого колебания и его интенсивность почти полностью определяются строением ближайших групп, окружающих связь ОО; строение остальной части молекулы оказывает очень малое влияние па положение соответствующей полосы в спектре, если только отсутствуют внутрикомплексные ( хелатные) связи. Если исключить влияние хелатных связей, то знание положения и интенсивности полосы валентного колебания С0 дает возможность, помимо обнаружения связи СО, получить ценные сведения о природе ее окружения. [5]
 |
Контур линии поглощения атома. [6] |
Если газ разрежен и можно пренебречь влиянием соседних атомов и не учитывать тепловое движение атомов, то ширина будет определяться только естественным уширением. [7]
Аналогичное увеличение интенсивности карбонильной полосы под влиянием соседнего атома кислорода происходит, конечно, и в случае кислот; однако кислоты обычно исследуются в таком состоянии, в котором они ассоциированы, что приводит на практике к компедси-рующему смещению полосы в сторону меньших частот. Тем не менее некоторое перекрывание интервалов карбонильных частот, которые характерны для сложных эфиров и кислот, все же имеется. Полосы поглощения валентных колебаний С-О также находятся у них в одной и той же области, но, как было показано выше ( гл. [8]
 |
Рассчитанные частоты колебаний растяжения связи Si - H. [9] |
С помощью этих выражений можно рассчитать величину влияния соседних атомов на частоты колебаний Si-H и Si - H2, связанных с одним, двумя или тремя атомами углерода. Результаты расчетов приведены в табл. 4.2.1. Как видно из нее, пик поглощения 2090 см 1 может быть обусловлен любой колебательной модой растяжения связи Si - H с одним или двумя присоединенными к Si атомами углерода. Учитывая, что содержание углерода в исследованных пленках было небольшим ( отношение интенсивностей пиков в ОЭС-спектрах С / Si 0 06), можно полагать, что пик 2090 см - обусловлен колебательной модой растяжения связи Si-H с одним присоединенным к кремнию атомом углерода. [10]
 |
Рассчитанные частоты колебаний растяжения связи Si-H. [11] |
С помощью этих выражений можно рассчитать величину влияния соседних атомов на частоты колебаний Si-H и Si - Н2, связанных с одним, двумя или тремя атомами углерода. Результаты расчетов приведены в табл. 4.2.1. Как видно из нее, пик поглощения 2090 см 1 может быть обусловлен любой колебательной модой растяжения связи Si-H с одним или двумя присоединенными к Si атомами углерода. Учитывая, что содержание углерода в исследованных пленках было небольшим ( отношение интенсивностей пиков в ОЭС-спектрах C / Si 0 06), можно полагать, что пик 2090 см обусловлен колебательной модой растяжения связи Si-H с одним присоединенным к кремнию атомом углерода. [12]
 |
Энергетическая диаграмма неизолированного атома натрия. [13] |
Энергетических подуровней, получившихся в результате расщепления от влияния соседних атомов, очевидно будет столько, сколько атомов в объеме образца из данного вещества. Такое положение исходит из принципа квантовой механики ( принцип Паули), из которого следует, что в данном состоянии не может быть более одного электрона. [14]
 |
Смешивание состояний в случае радикалов различной симметрии. [15] |
Страницы: 1 2 3 4