Влияние - подложка
Cтраница 2
Количество информации о влиянии подложки на рост и степень совершенства пленок халькогенидов свинца невелико. Чтобы дать обоснованные прогнозы, рассмотрим детально структуру пленок. Общепринятая модель [3] роста энитаксиальных пленок на нагретых щелочно-галоидных подложках требует образования элементарного зародыша ( ядра) на определенном участке поверхности как первой стадии роста. [16]
 |
Транзистор с диодом Шоттки. [17] |
Можно показать, что влияние подложки на величину Икз нас пренебрежимо мало. [18]
 |
Понижение температуры плавления тонких слоев свинца в зависимости от толщины. [19] |
По-видимому, представление относительно влияния подложки лишь до момента образования зародышей является односторонним. Оно справедливо, если речь идет об осевом росте зародышей в направлении, нормальном к плоскости подложки, когда влиянием последней можно в действительности пренебречь. [20]
Для некогерентных экситонов механизм влияния подложки иной. В этом случае наличие потенциальной ямы ( или потенциального барьера) приводит к возникновению сил, действующих на экситоны и увлекающих их к ( от) поверхности металла. Наиболее интересен, конечно, случай притяжения экситонов к подложке. В этом случае увлечение экситонов к поверхности ( для когерентных экситонов - это захват на поверхностный уровень) приводит к увеличению концентрации экситонов около границы раздела. С другой стороны, металлическое тушение уменьшает ее. [21]
Двойная эпитаксия позволяет практически исключить влияние подложки на свойства эпитаксиального р-п-перехода. [22]
Однако при этом не исключается влияние подложки, действие которой учитывается по изменению тонкой электронной структуры хелатно связанного металла. Полученные результаты свидетельствуют о том, что полимеры с алифатическими радикалами имеют пониженную ( по сравнению с ароматическими радикалами) интенсивность переходов на 4р - уровни и указывают на изменение электронного состояния хелатно связанного металла. [23]
В работе [94] было исследовано влияние твердой подложки на надмолекулярную структуру сшитых полиуретанов. [24]
Необходимо отметить еще один тип влияния подложки на свойства полимера. [25]
 |
Температурная зависимость толщины ос-пленок Л0 ( при plps 1 воды на поверхности кварца. [26] |
Это может быть связано с эпитаксиальным влиянием подложки, навязывающей определенную степень структурной измененности граничным слоям воды, тем большую, чем больше на поверхности активных центров, способных образовывать водородные связи с молекулами воды. [27]
По мере увеличения толщины гальванического покрытия влияние подложки уменьшается в конечном итоге структура покрытия определяется только составом электролита, температурой, плотностью тока и способом перемешивания. Структуры покрытий весьма разнообразны. Некоторые и:; них аналогичны наблюдаемым в литых металлах, но другие свойственны только электролитическим осадкам. Кристаллические осадки, получающиеся в ваннах, не содержащих добавок ( или содержащих их в небольших количествах), часто имеют структуру с предпочтительной ориентацией. Некоторые блестящие покрытия также имеют текстуру, но, как правило, по мере замедления роста при увеличении концентрации добавок или при введении более активных веществ, осадок становится все более мелкозернистым и теряет при этом преимущественную ориентацию. [28]
Для рассмотренной задачи дифракции несложно учесть влияние подложки на работу решетки. [29]
 |
Планарно-эпитаксиальный транзистор. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5