Влияние - подложка
Cтраница 4
Однако чаще общим фактором при получении тонких пленок является тормозящее релаксационные процессы влияние подложки. По этой причине целесообразно отдельно рассмотреть явления, происходящие в верхнем и нижнем поверхностных слоях пленки. [46]
Указанная методика имеет существенное преимущество перед методом тонкого слоя: здесь исключено влияние подложки и, кроме того, выбирается образец из промышленного материала, а не получаемый в специальных условиях. [47]
Масштабы влияния обоих рассматриваемых факторов изменяются с увеличением высоты кристаллов совокупности: эпитаксиальное влияние подложки ослабевает и нарастает влияние собственной текстуры. Такая закономерность подтверждается всеми экспериментальными фактами. Границу прекращения эпитаксиального влияния установить практически невозможно. Можно лишь утверждать, чт оно уменьшается с увеличением толщины совокупности кристаллов. [48]
 |
Характеристики ВЫХ БХ.| МДП инвертор с емкостной нагрузкой. а - эквивалентная схема. б - траектория перемещения рабочей точки управляющего транзистора. [49] |
Относительная допустимая помеха увеличивается с ростом амплитуды входного сигнала, уменьшением коэффициента влияния подложки управляющего транзистора и ростом отношения удельной крутизны управляющего и нагрузочного транзисторов. [50]
 |
Микроструктура многослойного покрытия из молибдена с текстурами ( 211ПШ ] ( а и ( 111 [ hkl ] ( б. [51] |
В, предыдущих параграфах были проанализированы примеры роста совокупностей кристаллов, в которых влияние подложки сводилось только к эпитаксиальному. Такие условия роста реализуются весьма часто. Однако не менее интересны закономерности роста совокупностей-у которых взаимодействие с подложкой сводится к чисто диффузионному. [52]
 |
Сравнительная активность кобальта в окислении СО. [53] |
Некоторое расхождение в АКА для индивидуального и молекулярио-диспергированного фта-лоцианинов объясняется, по-видимому, влиянием подложки, а также, возможно, спецификой протекания каталитического акта с двух сторон молекулярно-диспер-гированного комплекса. [54]
Такой отбор никак не связан со средой и, что самое главное, с влиянием подложки. Отбор происходит независимо от среды. Среда в реальных условиях является только поставщиком примесей, которые могут повлиять на направление отбора. Возникновение текстуры в совокупности кристаллов является энергетически необходимым процессом. Следует заметить, что с увеличением температуры уменьшается различие между свободными энергиями граней кристаллов; соответственно уменьшается и совершенство возникающей текстуры. [55]
Сравнение ( 2 - 1) и ( 2 - 3) показывает, что учет влияния подложки приводит к уменьшению значений / с и t / Hac даже при нулевом смещении подложки. [56]
При создании планарно-эпитаксиальных транзисторов образуется скрыть слой N - rana для уменьшения сопротивления коллектора и степени влияния подложки на эту область транзистора. [57]
Для Fe, нанесенного на ZnO, NiO, A12O3 - и Ге2О3 - гели, обнаружено влияние подложки на спектр N0, связанной с железом. [58]
 |
Зависимость температуры плавления от обратной величины толщины клина. [59] |
Кроме того, рост и формирование пленки происходят в ориентирующем поле подложки, и, возможно, это влияние подложки сохраняется и при плавлении. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5