Cтраница 1
Влияние галогена или кислорода как вторых заместителей у реакционного центра предсказать не просто. Индуктивный эффект этих атомов должен бы усиливать частичный положительный заряд на центральном углероде и способствовать, таким образом, 5 2-реакции. В случае кислорода такая стабилизация имеет место в действительности. [1]
Влияние галогенов как заместителей долгое время рассматривалось как аномальное. Хлор -, бром - и иодбензолы менее реакционноспособны, чем бензол, но подвергаются преимущественному замещению в op / по - и пара положения. Фторбензол также замещается в орто - и яра-положения, а по реакционной способности примерно равен бензолу. Интересное влияние галогенов зависит от взаимодействия индуктивного и слабого резонансного эффектов, Галогенбензолы обладают дипольным моментом с отрицательным концом на галогене, но момент этот ниже, чем у соответствующих алкилгалогенидов. [2]
Влияние галогенов, когда они, вступая в метильную группу толуола, постепенно уменьшают орто-параориентацию, связывается с повышенным сродством галогенов к электрону. [3]
![]() |
Относительные скорости образования карбанионов. [4] |
Влияние галогенов на скорость образования енолят-аниона можно объяснить и другим образом, например, тем, что атомы галогена увеличивают кислотность водорода, отщепляемого основанием. Увеличивая кислотность водорода, галогены увеличивают скорость образования енолят-аниона. [5]
Влияние галогена на равновесие заметно только в случае хлора, так как трудно растворимый в эфире хлористый магний постепенно выпадает, вследствие чего равновесие сдвигается в сторону образования диалкилмагния. [6]
![]() |
Реакции электрофильных реагентов с алкснами и ароматическими соединениями. [7] |
Влияние галогенов как заместителей долгое время рассматривалось как аномальное. Хлор -, бром - и иодбензолы менее реакционноспособны, чем бензол, но подвергаются преимущественному замещению в орто - и пара положения. Фторбензол также замещается в орто - и геара-положения, а по реакционной способности примерно равен бензолу. Интересное влияние галогенов зависит от взаимодействия индуктивного и слабого резонансного эффектов. Галогенбензолы обладают дипольным моментом с отрицательным концом на галогене, но момент этот ниже, чем у соответствующих алкилгалогенидов. [8]
Интересно влияние галогенов на электронные спектры моноза-мещенных стильбена. В УФ-спектрах в гептане наиболее заметный батохромный эффект вызывает фтор ( ДА, 22 нм); у 4-хлор - и 4-бром-замещенных ДА, соответственно равны 5 и 3 нм. [9]
Таким образом, влияние галогенов на стабильность карб анионов имеет сложную природу и описывается тонким балансом между индуктивным эффектом, отталкиванием неподеленных пар и / - сопряжением. [10]
Как видно, влияние галогена значительно сильнее у соединений первого типа. [11]
Влияние гидроксила подобно влиянию галогена: отрицательный индукционный эффект, свойственный гидроксилу, быстро затухает по цепи атомов углерода. [12]
![]() |
Определение концентрации ловушек Nt и их распределения в различных окружающих условиях по измерениям гока, ограниченного пространственным зарядом. [13] |
В литературе уже давно отмечалось влияние галогенов на проводимость монокристаллов [401] или тонких пленок [402] металлфталоцианинов. Легирование металлфталоцианинов галогенами снижает общее удельное сопротивление на несколько порядков. [14]
В заключение интересно остановиться на влиянии галогенов в ароматическом ядре. В жирном ряду возрастание константы диссоциации галогензамещенных кислот идет в порядке возрастания электроотрицательности галогена J, Вг, Cl, F и константы-галогензамещенных уксусных кислот во много раз ( в 75 - 160 раз) больше, чем уксусной кислоты. [15]