Cтраница 1
![]() |
Энергия электрона в кристаллической решетке, приведенная к первой зоне Бриллюэна.| Структура энергетических зон Ое, Si и. [1] |
Структура энергетических зон, изображенных на рис. 4 - 22, носит название структуры зон, приведенных к первой зоне Бриллюэна, причем в такой приведенной структуре одному и тому же значению волнового числа k соответствует несколько-значений энергии электронов, лежащих в различных зонах. [2]
Структура энергетических зон зависит от давления и температуры. Поскольку давление и температура изменяют постоянную кристаллической решетки, то между влиянием этих двух параметров легко провести аналогию. [3]
Структура энергетических зон гораздо сложнее, чем предполагалось; уровни минимальной энергии и кристаллографически, и в пространстве импульсов состоят иногда из нескольких ветвей, а различные по подвижности заряды находятся в пределах тех же энергий. Минимум энергии не всегда совпадает с нулевым значением волнового вектора. [4]
![]() |
Удельная проводимость. [5] |
Структуры энергетических зон, приведенные на рис. 20.12, показывают, что в некоторых полупроводниках A1UBV, таких, как InSb, InAs, InP, влиянием высцко расположенных подзон на перенос носителей заряда можно пренебречь. Вместе с тем во многих соединениях AlnBv ( GaSb, GaAs, GaP, AlSb) верхние энергетические подзоны в зоне проводимости могут играть существенную роль. Поэтому для анализа электропроводности и эффекта Холла необходимо принимать во внимание два типа носителей заряда с различной эффективной массой. [6]
Структура энергетических зон гораздо сложнее, чем предполагалось; уровни минимальной энергии и кристаллографически, и в пространстве импульсов состоят иногда из нескольких ветвей, а различные по подвижности заряды находятся в пределах тех же энергий. Минимум энергии не всегда совпадает с нулевым значением волнового вектора. [7]
Структура энергетических зон алюминия изучалась Матиасом и позднее Леем. Рейнор [16] приводит зависимость ga ( s), вычисленную Матиасом. Первая и вторая зоны перекрываются, а граница Ферми соответствует такому значению энергии, когда электроны обеих зон играют еще значительную роль; таким образом, величина рй должна быть больше единицы. [8]
Структура энергетических зон InAs в настоящее время точно не известна. К, падает до 0 035 т при комнатной температуре. Очень мало сведений имеется и об эффективной массе дырок. [9]
Структура энергетических зон алюминия изучалась Матиасом и позднее Леем. Рейнор [16] приводит зависимость g t ( z), вычисленную Матиасом. Первая и вторая зоны перекрываются, а граница Ферми соответствует такому значению энергии, когда электроны обеих зон играют еще значительную роль; таким образом, величина р должна быть больше единицы. [10]
Структура энергетических зон электронов в кристаллических диэлектриках и металлах качественно различна. [12]
Структура энергетических зон кремния бьиа определена путем сочетания теоретических исследований с результатами опытов по циклотронному резонансу. [13]
![]() |
Схематическое изображение энергетической зонной структуры полупроводника с отрицательной дифференциальной подвижностью. [14] |
Эта структура энергетической зоны иллюстрируется на рис. 10.14, где как раз показан один из боковых провалов. [15]