Структура - энергетическая зона
Cтраница 2
 |
Транзистор с высокой подвижностью электронов. [16] |
Изменение структуры энергетических зон и прочие их особенности приводят к появлению физических эффектов, отсутствующих в традиционных полупроводниковых материалах и структурах. Так, например, принцип работы упомянутого ранее транзистора с высокой подвижностью электронов, схематически показанного на рис. 70, основывается на использовании одного из подобных эффектов - введении электронов в слой материала, в энергетической структуре которого имеется квантовая яма. В транзисторе с высокой подвижностью электронов слой, содержащий квантовую яму, выполнен из нелегированного арсенида галлия. Оба смежных слоя, состоящие из арсенида галлия-алюминия и из арсенида галлия, легированы донорной примесью и имеют электропроводность и-типа. Выделяемые ими электроны скатываются в слой арсенида галлия, как в лунку. Из-за отсутствия атомов, мешающих их движению, электроны в яме обладают очень высокой подвижностью в направлении, параллельном стенкам слоя. Благодаря этому транзистор с высокой подвижностью электронов обладает весьма большим быстродействием. [17]
По структуре энергетических зон реальные полупроводники делятся на два основных типа. Такой конфигурацией зон обладает антимонид индия. Для кремния на рис. 7.10 приведена более сложная зависимость энергии электрона от волнового вектора. Из рисунка видно, что характер кривых зависит от кристаллографического направления. Одному и тому же значению волнового вектора соответствует несколько значений энергии. Наблюдается наличие нескольких экстремумов в зоне. Большинство полупроводников, в том числе и германий, обладает сложной структурой энергетических зон. [18]
Чем отличаются структуры энергетических зон проводников, полупроводников и диэлектриков. [19]
Какие особенности структуры энергетических зон кристаллов типа А3В5 определяют их применение в качестве материала для изготовления светодиодов и полупроводниковых лазеров. [20]
Такое поглощение определяется структурой энергетических зон вещества и, следовательно, спектр такого поглощения является характеристикой вещества. [21]
На рис. 9.7 показана структура энергетических зон у поверхности полупроводника с учетом быстрых и медленных поверхностных состояний. [22]
 |
Структура энергетических. [23] |
На рис. 9.3 изображена структура энергетических зон арсенида галлия, где видно, что зона проводимости GaAs характеризуется двумя минимумами. В минимуме, соответствующем точке k 0, электроны имеют примерно в 25 - 30 раз большую подвижность, чем электроны во втором минимуме. За счет внешнего электрического поля при высокой его напряженности энергия электронов первого минимума может повыситься настолько, что окажется возможным их переход во второй минимум, где подвижность электронов много меньше. [24]
 |
Структура энергетических зон у поверхности полупроводника. [25] |
На рис. 8.30 приведена структура энергетических зон у поверхности л-полупроводника, покрытого слоем окисла, указаны быстрые и медленные состояния и изгиб зон в предположении, что поверхность заряжена отрицательно. [26]
Имеется много полупроводников, структура энергетических зон которых еще не исследована столь хорошо, как в случае кремния и германия. К счастью, в большинстве случаев можно работать со значительно более простыми зонными моделями, чем сложные модели, обсуждавшиеся в данном разделе. [27]
Если предположить, что структура энергетических зон нитридов ниобия и циркония подобна, то разница концентрации валентных электронов в них будет сказываться в основном в различной степени заполнения энергетической зоны. Предполагаемая теорией БКШ [3 ] связь между Тк и плотностью электронных энергетических состояний у поверхности Ферми дает основание предположить, что различие характера концентрационной зависимости Тк в областях гомогенности ZrN и NbN отражает особенности хода кривой плотности состояний у поверхности Ферми при заполнении энергетической зоны, непрерывно возрастающей от ZrN до NbN стехиометрического состава и имеющей максимум при электронной концентрации между 4 5 и 5 эл / апгом. [28]
 |
Виды зонных диаграмм полупроводников. [29] |
Это объясняется различием в структуре энергетических зон данных полупроводников. Как известно из квантовой механики, электрон, свободно движущийся в пространстве, может быть охарактеризован энергией Е и импульсом р, при этом энергия и импульс могут иметь квантованные дискретные значения. Для электрона, движущегося в периодическом поле кристалла полупроводника, вводится понятие квазиимпульса. Общим для рассматриваемых полупроводников является наличие двух минимумов в зоне проводимости. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5