Структура - энергетическая зона
Cтраница 3
Вероятность излучательной рекомбинации зависит от структуры энергетических зон полупроводника. Наибольшую вероятность излучательной рекомбинации имеют полупроводники с прямыми переходами, такие как GaAs, в то время как у полупроводников с непрямыми переходами эта вероятность мала. Поскольку при Оже-рекомбинации передача энергии осуществляется путем кулоновского взаимодействия между электронами или дырками, то этот процесс приобретает значимость при высокой концентрации носителей. [31]
На рис. 5.14 а показана структура энергетических зон германия. Качественно она примерно такая же, как си у кремния. На рис. 5.14 6 приведены четыре изоэнергети-ческие поверхности ( долины), отвечающие этим минимумам, а на рис. 5.14 0 показана зависимость ширины запрещенной зоны германия от температуры. [32]
 |
Структура энергетических зон металла ( а, полупроводника ( б и диэлектрика ( в. [33] |
На рисунке 2.3 схематично изображены структуры энергетических зон твердого тела. Все металлы, включая натрий, запрещенной зоны не имеют, потому что она перекрывается валентной зоной и зоной проводимости. [34]
Таким образом, на основании структуры энергетических зон ( функции S ( k)), введя величину т согласно (2.10) и используя уравнение (2.9), можно судить о движении электрона в кристалле. Величина т называется эффективной массой электрона в кристалле. [35]
Единственными работами по теоретическому исследованию структуры энергетических зон в кристаллах карбида кремния являются исследования Кобояси, посвященные расчету структуры энергетических зон в ( 3-кубической модификации карбида кремния. Расчет зонной структуры p - SiC был проведен блоховским методом сильной связи и методом ортогонализованных плоских волн. [36]
Единственными работами по теоретическому исследованию структуры энергетических зон в кристаллах карбида кремния являются исследования Кобояси, посвященные расчету структуры энергетических зон в р-кубической модификации карбида кремния. Расчет зонной структуры p - SiC был проведен блоховским методом сильной связи и методом ортогонализованных плоских волн. [37]
Без достаточно точных данных о структуре энергетических зон полупроводника нельзя претендовать на знание его свойств. К сожалению, с известной степенью достоверности зонная структура известна только для германия и кремния, хотя имеются также некоторые сведения о зонной структуре небольшого числа интерметаллических соединений, а также солей свинца PbS, PbSe и РЬТе. Помимо этих веществ, имеется совсем мало данных о зонной структуре других полупроводников. В настоящее время можно лишь высказать следующее предположение: по-видимому, маловероятно, что многим полупроводникам, как это предполагалось раньше, свойственны простые невырожденные энергетические зоны со сферическими поверхностями постоянной энергии вблизи точки k0 в k - пространстве. [38]
На рис. 4 - 23 показана структура энергетических зон наиболее распространенных полупроводников. [39]
Полупроводниковый материал для лазеров должен иметь структуру энергетических зон, обеспечивающую прямые изяучательные переходы электронов между энергетическими уровнями. Перспективным является синтез и подбор полупроводниковых материалов с одинаковыми параметрами кристаллической решетки, что дает возможность создавать гетеропереходы на контактах двух полупроводников с различной шириной запрещенной зоны. Использование гетеропереходов в инжекционных, лазерах позволяет относительно просто получать инверсную населенность энергетических уровней в относительно узкозонной, области лазерной структуры. [40]
При изучении собственного поглощения следует учитывать особенности структуры энергетических зон полупроводника. [41]
Изучение спектров поглощения дает обширную информацию о структуре энергетических зон твердых тел, примесных и дефектных состояниях, колебаниях решетки. [42]
Безызлучательные переходы и вероятность их осуществления определяются структурой энергетических зон фосфоров и не объясняются описанной выше одномерной зонной диаграммой. [43]
 |
Диаграмма энергетических зон. [44] |
Способность твердого тела проводить электрический ток зависит от структуры энергетических зон и степени заполнения их электронами. Электроны могут переносить электрический заряд, совершая переходы с одного энергетического уровня на другой. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5