Структура - энергетическая зона
Cтраница 4
В работе [94] такой характер зависимости объясняется различием структуры энергетических зон в кремнии и германии. [46]
При обсуждении эффекта Ганна мы уже отмечали, что структура энергетических зон в полупроводниках может быть весьма сложной. [47]
В работе [94] такой характер зависимости объясняется раз личием структуры энергетических зон в кремнии и германии. [48]
В течение нескольких последних лет стало ясно [1 ], что структура энергетических зон большинства хорошо изученных полупроводников сильно отличается от простои модели, принимавшейся почти во всех более ранних теоретических работах. [49]
В качестве введения в рассмотрение ионных полупроводников проследим за изменением структуры энергетических зон, начиная с гомеополярного полупроводника и двигаясь к кристаллам с возрастающей степенью ионности. Для этой цели в качестве отправной точки германий подходит больше, чем кремний. Таким образом мы получим следующий ряд с возрастающей степенью ионности: Ge, QaAs, ZnSe, CuBr. Полное число электронов во всех этих кристаллах одинаково ( они являются изоэлектронными), и структура энергетических зон у них одна и та же. Различие состоит в том, что у одного атома ( анион) заряд ядра увеличивается, а у другого ( катион) - уменьшается. [51]
 |
Энергетические диаграммы полупроводников. а - собственного. б - типа п. в - типа р. [52] |
Полупроводники ( рис. 1.3 6) имеют аналогичную с диэлектриками структуру энергетических зон и отличаются от последних шириной запрещенной зоны. [53]
Отклик электронов на воздействие электромагнитного поля так тесно связан со структурой энергетических зон, что имеет смысл начать рассмотрение именно с этого вопроса. [54]
Тем не менее метод связывающих орбиталей существен для понимания не только структуры электронных энергетических зон ( в тетраэдрических Кристаллах. [55]
 |
Диаграммы плотности состояний, возможных в аморфных полупроводниках ( заштрихованы области, соответствующие локализованным состояниям. [56] |
Как видно из изложенного, дефекты играют важную роль в организации структуры энергетических зон и, особенно, их хвостов и отдельных локальных уровней в щели подвижности. [57]
Таким образом, способность твердого тела проводить ток под действием электрического поля зависит от структуры энергетических зон и от степени их заполнения электронами. Необходимым условием возникновения проводимости в твердом теле является наличие в разрешенной зоне свободных или не полностью занятых энергетических уровней. [58]
 |
Эффективные массы и параметры энергетических зон Si и GaAs. [59] |
В предыдущем параграфе мы выяснили, что в совершенных кристаллах с идеальной периодической решеткой специфика структуры энергетических зон определяет различные характерные свойства веществ. Однако у реальных кристаллов решетка не идеальна, а имеет различные кристаллические дефекты. Поэтому во многих случаях электрические и оптические свойства полупроводниковых материалов имеют отклонения от таковых для идеальных кристаллов. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5