Структура - прибор
Cтраница 1
Структура дистанционных потокометрических приборов зависит от их назначения и способа механического и электрического сочленения преобразователей между собой, а также от соединения преобразователей с кана лом связи. [1]
 |
Нарушение теплостойкости тиристора при приложении прямого напряжения. [2] |
Дополнительный нагрев структуры прибора вследствие накопления энергии может явиться в импульсных режимах эксплуатации причиной увеличения инерционности прибора, обратного тока и тока в закрытом состоянии. [3]
Оценим температуру структуры приборов при абсолютной идентичности приборов и с учетом разброса параметров. [4]
На выбор структуры прибора влияет объект измерения. [5]
Возвращаясь к структуре прибора, представленного на рис. 1 - 1, б, видим, что датчиком этого прибора, вынесенным непосредственно на объект измерения, является конструктивная совокупность двух первых преобразователей структурной схемы: предварительного преобразователя, воспринимающего измеряемый уровень, - поплавка с рычажной передачей, и основного - реостатного измерительного преобразователя. Измерительное устройство этого прибора включает остальные звенья структурной схемы и соединяется с датчиком только линией связи. [6]
При такой структуре прибора проблема создания хороших омических контактов становится очень важной. [7]
В основу построения структуры прибора принят метод дискретного измерения значений напряжения сети в моменты, когда напряжение в каждом полупериоде достигает амплитудного значения. Измерение длительностей процессов осуществляется счетным методом. [8]
Этой схемой определяется и структура прибора, а именно: воспринимающая часть ( датчик) в виде чувствительного элемента, например мембраны или пустотелой пружины; преобразовывающая часть в виде рычажно-зубчатой передачи или электромагнитного устройства; показывающая часть в виде обычного циферблатно-стрелочного отсчетного или счетно-регистрирующего устройства. [9]
На рис. 6.3.8 приведены структуры изготовленных и исследованных приборов. Первые два выпрямляющих диода - КДМП ( а) и БДШ ( б) изготовлены с использованием р-слоя на и - слое и и-слоя на и - слое соответственно, выращенных эпитаксиально на кремниевых подложках. Прибор в представляет собой транзистор с вертикальной структурой. [10]
При длительной нагрузке номинальным током структура прибора нагревается до температуры, меньшей номинального значения. Так как параметр номинальный ток приводится только для классификации вентиля данного типа, то его целесообразнее называть классификационным током. Дело в том, что данный параметр определяется в конкретной схеме, при определенном режиме работы и номинальных условиях охлаждения, так что для работы в других условиях конкретная величина номинального тока теряет смысл. [11]
Кратковременное повышение температуры какой-либо части структуры прибора связано с локализацией энергии электрических потерь ( прежде всего коммутационных потерь) в объеме, составляющем лишь малую часть всего объема структуры. Основной причиной эффекта локализации энергии в полупроводниковых приборах является микронеоднородность структуры как в радиальном ( по площади структуры), так и в осевом направлениях. С ростом мощности прибора и соответственно объема структуры относительная роль эффекта локализации энергии также возрастает, так как возрастает разброс электрофизических параметров. [12]
Размеры резонаторов электромеханических фильтров или структур приборов с зарядовой связью для таких частот настолько малы, что реализовать их практически невозможно; четвертьволновые отрезки полосковых линий, напротив, оказываются слишком длинными. [13]
Более экономичны модели, в которых структура прибора разбивается на сосредоточенные объемные элементы и каждый такой физический элемент замещается электрической схемой. В итоге прибор заменяется распределенной электрической линией с конечным числом элементов, которую можно анализировать методами с применением стандартных программ расчета электронных схем. С математической точки зрения такой подход к моделированию означает, что конечно-разностными соотношениями заменяются только пространственные производные. [14]
 |
ВАХ приборов в открытом состоянии. [15] |
Страницы: 1 2 3 4