Структура - прибор
Cтраница 2
Полученная температура TJ2 - это минимальная температура структуры прибора при заданном разбросе тепловых параметров; если ее значение соответствует с определенной точностью значению, которое принималось в начале расчета, то расчет заканчивается. [16]
Последняя группа повреждений проявляется как результат нарушения структуры прибора: образование локальных областей пробоя, перегорание дорожек металлизации. [17]
Неодномерные тепловые режимы характеризуются неравномерным распределением тепла по объему структуры прибора. В таких режимах под теплостойкостью понимают способность прибора выдерживать кратковременное возрастание температуры в микрообъеме структуры-температуры горячей точки. [18]
Повышение качественных характеристик различных СВЧ устройств при использовании решеток в запредельных структурах приборов одновременно позволяет существенно уменьшить их габариты и вес и в целом способствовать решению задачи микроминиатюризации аппаратуры СВЧ. [19]
 |
Схема процесса фотолитографии по пленке диоксида кремния. [20] |
Элементы рисунка на фотошаблоне в марштабе 1: 1 соответствуют элементам будущих структур опто-электронных приборов. Поскольку приборы изготавливаются групповым методом, на фотошаблоне размещается множество однотипных рисунков. [21]
Абсолютный предел по напряжению определяется развитием какого-либо из видов пробоя в структуре прибора: смыкание объемного заряда, лавинный и поверхностный пробой. В современных конструкциях силовых ключей, как правило, определяющим является лавинный пробой, приводящий к неконтролируемому процессу умножения носителей при достижении критической напряженности электрического поля. [22]
 |
Прибор в сборе с охладителем при жидкостном охлаждении. [23] |
Температура кипения теплоносителя должна быть, естественно, ниже максимально допустимой температуры структуры прибора. Для приборов с 7 тал; 100сС используется кипящая вода, при более низкие температурах применяются фреоны, имеющие температуру кипения 39 - 45 С. [24]
Наиболее существенное влияние по сравнению с другими видами помех на методику ОМП и структуру приборов для автоматических измерений оказывает дуга в месте повреждения. Дело в том, что автоматические измерения как раз производятся в период горения дуги. [25]
Переходные процессы переключения СИТ основаны на сложной природе физических явлений, протекающих в структуре прибора. Данные процессы описываются нелинейными дифференциальными уравнениями второго порядка, которые с трудом удается приводить к более простым аналитическим формам, содержащим, к тому же, большое количество электрофизических параметров. Это не совсем удобно для разработчиков схем, оперирующих, главным образом, стандартными справочными данными и характеристиками. Поэтому при описании работы ключа ( 6.17) главное внимание будет обращено на сущность физических этапов переключения и их влияние на стандартные временные параметры. [26]
Сущность процесса формирования таких выводов заключается в следующем: на полупроводниковую подложку с изготовленными структурами приборов наносится металлическая пленка, из. [27]
Включение тиристора на малые токи характеризуется тем, что проводящее состояние занимает практически всю площадь структуры прибора. В обоих базах прибора при этом устанавливается низкий уровень инжекции носителей заряда. [28]
Отмеченные эффекты связаны с изменением поверхностного потенциала, вызванным перераспределением ионов водорода в материале, покрывающем структуру прибора. Следует отметить, что обнаруженные механизмы деградации фототранзисторов оказались типичными для обычных биполярных транзисторов, особенно изготовленных по планарной технологии. [29]
При этом низкоомный слой базы представляет собой подложку относительно большой толщины, обеспечивающей необходимую механическую прочность структуре прибора. Он может быть создан методом эпитак-сиального наращивания. [30]
Страницы: 1 2 3 4