Cтраница 4
Схемы сборочного состава разрабатывают по информации, заключенной в чертежах общего вида и сборочных единиц, в кинематической и электрической схемах прибора. Они отражают структуру прибора и последовательность его сборки. [46]
Выделяющаяся в полупроводниковом ключе мощность рассеивается в виде тепла. Положение областей в структуре прибора, где выделяется тепло, может изменяться в широких пределах. В переходном процессе переключения тепло выделяется в областях пространственного заряда за счет соударения с кристаллической решеткой носителей, проходящих через ОПЗ под действием электрического поля. При превышении критических напряжений данные соударения приводят к образованию вторичных носителей, которые разгоняются в свою очередь и вызывают лавинный пробой. С учетом неоднородностей в структуре ключа лавинные микроплазмы ограничиваются локальными областями, в которых и выделяется тепло. [47]
Прибор ПП2 проводит меньший ток, рассеивает меньшую мощность и нагревается до меньшего значения температуры. Предположим, что температура структуры прибора ПП2 равна некоторому промежуточному значению 75 С. [48]
Если измерительный прибор состоит из нескольких преобразователей, то в ряде случаев представляет интерес оценить чувствительность прибора через чувствительности входящих в него преобразователей. Решение этой задачи связано со структурой прибора. [49]
Полуэвристический синтез математических моделей структуры состоит из совокупности иерархического структурного синтеза и математического анализа множества моделей структур. Структурный синтез моделей включает эвристический синтез структуры прибора и сопоставление данной структуре множества математических моделей в статике. Проектирование МАП может осуществляться на уровне структурной, функциональной или принципиальных схем, при этом используется весь арсенал эвристического метода. [50]
![]() |
Основные параметры фоторезистов. [51] |
Фотошаблоны - стеклянные пластины или полимерные пленки со сформированным на их поверхности рисунком элементов схем из материала, не пропускающего актиничного излучения. Система элементов на фотошаблоне образует топологию одного из слоев структуры прибора или микросхемы. [52]