Cтраница 3
При этом низкоомный слой базы представляет собой подложку относительно большой толщины, обеспечивающей необходимую механическую прочность структуре прибора. Он может быть создан методом эпитаксиального наращивания. [31]
Планарная технология, являясь в сущности групповой, позволяет одновременно обрабатывать на одной пластине сотни и тысячи структур приборов, автоматизировать технологические процессы и снижать трудоемкость изготовления приборов. [32]
Изложение материала в этих главах построено по единой методической схеме: прежде всего рассматриваются физические процессы в структуре прибора, являющиеся общими как для интегральных, так и для дискретных приборов. Далее проводится параметризация приборов в основных режимах эксплуатации. В заключение приводятся особенности мощных ( силовых) полупроводниковых приборов. При изложении используется метод сравнения разных классов полупроводниковых приборов между собой с точки зрения их эксплуатации в том или ином режиме. [33]
Установление необходимой структуры реального прибора происходит одновременно с установлением принципиальной схемы действия прибора; последняя иногда определяется до установления структуры прибора; естественно полагать, что уравнение прибора отображает структуру прибора. [34]
Измерительные приборы по своему устройству представляют со бой совокупность ( в определенном сочетании) измерительных преобразователей, что характеризуется структурой прибора. Условным изображением структуры является структурная схема. Структура прибора включает как основные узлы ( преобразователи), так и вспомогательные ( источники питания электрической энергии, осветительные устройства и др.), которые не принимают непосредственного участия в измерительных преобразованиях, но необходимы для обеспечения требуемых условий работы основных узлов. [35]
Это обстоятельство в значительной мере влияет на параметры мощных транзисторов, на их зависимость от режима работы, а также на их связь со структурой приборов. Хотя и в маломощных транзисторах иногда работа происходит при высокой плотности токов, это обстоятельство, как правило, не является для них определяющим. [36]
Установление точной взаимосвязи между измеряемой величиной и переменными определяет метрологический порядок метода измерений, а следовательно, и схему прибора, которая, в свою очередь, определяет структуру прибора. [37]
Таким образом, видно, что всякое уравнение, связывающее в процессе измерения измеряемую величину ( независимая переменная) с измеренной другой величиной, может быть положено в основу структуры прибора. [38]
Установление необходимой структуры реального прибора происходит одновременно с установлением принципиальной схемы действия прибора; последняя иногда определяется до установления структуры прибора; естественно полагать, что уравнение прибора отображает структуру прибора. [39]
При этом благодаря обилию зарядов в переходе 2 напряжение на нем сильно упадет ( примерно до 1 В) и энергия, выделяемая в этом переходе, окажется незначительной для каких-либо необратимых процессов в структуре прибора. [40]
Связанные с общей моделью АС ( 1 4), (1.5) соотношениями (I.II), (I.I2) статистические показатели (I.I5) - зависят от характеристик действующих на прибор помех, параметров анализируемой пробы, внешней среды и ИП от используемого принципа измерения и структуры прибора. Эти зависимости позволяют использовать статистические показатели не только при решении традиционных - задач нормирования метрологических характеристик приборов, но и при их проектировании путем оптимизации структуры и параметров анализатора. [41]
Таким образом, в приборах, работающих по схеме рис. 6 - 2, г, используется как преобразователь Я неэлектрической величины в электрическую, так и обращенный преобразователь ОП электрической величины в неэлектрическую, что, несомненно, усложняет структуру прибора. Однако в некоторых случаях подобная структура прибора обеспечивает большую точность измерения, чем в случае использования схемы рис. 6 - 2, в, что оправдывает усложнение структуры прибора. [42]
Структура прибора обычная, характерная для двухтактных время-импульсных вольтметров. До поступления на интегратор входной сигнал предварительно усиливается усилителем постоянного тока типа МДМ. С целью защиты от помех усилитель, интегратор и источник опорного напряжения гальванически не связаны с остальной ( дискретной) частью прибора. Для устранения неопределенности измерения сигналов низкого уровня в условиях сильных помех в конце интервала интегрирования ко входу интегратора подключают на 100 мксек источник опорного напряжения. В этом случае во втором такте поступление импульсов опорной частоты на счетчик также задерживается на 100 мксек, что исключает ошибку в показаниях. [43]
Структура приборов автоуправления принципиально отличается от приборов автоматического контроля лишь третьим элементом. Для усиления фототоков фотореле применяются как электронные лампы, так и тиратроны. Питание фотореле возможно осуществить от цепей постоянного тока или переменного тока. Применяются фотоэлементы внешнего фотоэффекта ( фиг. [44]
Туннельный триод [80, 81] представляет собой прибор, в котором коллектор является обычным р - п-переходом, а эммитер - р - л-переходом с туннельным эффектом. Такая структура прибора открывает новые возможности при построении ряда электронных схем, особенно в области вычислительной техники. [45]