Диодная структура

Cтраница 1

Распределение партии резисторов с р 1 кОм / квадрат. [1]

Диодные структуры с применением метода ионной имплантации получают следующим образом. На кремниевых подложках, например, ориентации 111 р-ти-па ( р 1 Ом-см) или га-типа ( р - 6 Ом-см) выращивают окисную пленку, которая после проведения фотолитографии служит маской при создании облученных участков нужной конфигурации. [2]

С-емкость диодной структуры; Сп - емкость корпуса: R - активное сопротивление диода; L - внешняя индуктивность. [3]

Для диодной структуры необходим р-п переход только с одной стороны пластины, поэтому второй образовавшийся р-слой сошлифовывают порошком М10 до исходного кремния тг-типа. [4]

Взаимосвязь диодных структур определяется объемными свойствами полуизолятора и топологией размещения соответствующих контактов. Каждый диод оказывает примерно одинаковое влияние на все остальные, равно удаленные от него. Величина связи резко убывает с расстоянием, так как концентрация неравновесных носителей понижается по экспоненциальному закону с удалением от инжектирующего контакта. [5]

Особенность диодных структур, содержащих разомкнутый переход, заключается в том, что на разомкнутом переходе появляется плавающий потенциал, значение которого изменяется с изменением смещения на соседнем переходе. [6]

В диодных структурах из таких материалов практически все внешнее напряжение падает на базовой области, проводимость которой полностью определяется введенными из контакта неравновесными носителями. Однако, в отличие от вакуума, в полуизоляторе носители движутся, постоянно взаимодействуя с решеткой - длина свободного пробега много меньше расстояния между контактами. [7]

При проектировании диодных структур, предназначенных для использования в полупроводниковых ИМС, должны быть известны параметры, определяющие уравнение в.а.х., быстродействие, емкость диодного перехода, емкость диода на подложку и паразитный ток утечки на подложку. Из анализа типовой структуры интегрального транзистора следует, что для формирования диода полупроводниковой ИМС можно применять любой из двух переходов транзистора путем использования пяти различных схем включения. Характеристики диодов в значительной степени определяются способом включения, поэтому при проектировании интегральных диодов имеется широкая возможность получения заданных параметров. [8]

Предельная температура диодной структуры на основе кремния может быть принята равной 150 С. Это определяет максимальную величину РраСмако для конкретного диода. Очевидно, Ррясмакс зависит от Гк или, иначе. RT вп - Величина т вн определяется конструкцией радиотехнического устройства и поэтому не может относиться к параметрам диода. [9]

Вывод от диодной структуры и другие элементы конструкции диода обладают некоторой индуктивностью. Ее величина зависит от конструкции устройства, в которое помещен диод, а также от частоты. Поэтому индуктивность не может быть определена однозначно, однако ориентировочная величина приводится в справочных данных. [10]

При проектрировании диодных структур, предназначенных для использования в полупроводниковых ИМС, должны быть известны параметры, определяющие уравнение в. [11]

Взаимосвязь между диодными структурами может управляться магнитным и внешним электрическим полем, освещением и рядом других факторов. [12]

Схема слоистой структуры 4. [13]

Поэтому для создания кремниевых сплавных диодных структур для приборов средней и высокой мощности, которые требуют большей площади перехода, вплавление алюминиевого столбика не применяют. [14]

Таким методом удобно формировать диодные структуры, содержащие тысячи диодов на одном кристалле и предназначенные для использования в качестве диодных матриц постоянных запоминающих устройств. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5