Диодная структура

Cтраница 3

Распределения плотности тока и времени жизни неравновесных носителей заряда по площади диодных структур имеют максимумы в участках, отдаленных от периферии структуры. [31]

Совершенно новые возможности открывает применение S-диодных матриц с большим числом элементов или же непрерывных диодных структур с объемным отрицательным сопротивлением S-типа. В такой структуре возможна реализация интерференционного способа обработки информации. Под этим термином понимается, что информация поступает на большое число входов, расположенных по определенному закону на пластине. Содержание информации определяется наличием или отсутствием сигналов на каждом из этих входов и фазовыми соотношениями между ними. От каждого входа, на который подан сигнал, будет распространяться волна возбуждения. [32]

Схема ТПН ( а и осциллограммы тока управления. у, тока с и напряжения us фазы статора ( б. [33]

При замыкании нулевой точки фазных обмоток АД также возможно построение простых схем управления на диодных структурах. Один из вариантов такого ТПН показан на рис. 6.4 а. Когда два из трех силовых тиристоров открыты, вершины образованного ими треутльника эквипотенциальны и напряжение на управляющих электродах равно нулю. [34]

Распределение носителей в несимметричном переходе ( полулогарифмический и линейный масштаб. Тонкими линиями показано распределение в симметричном переходе.| Зонная диаграмма слоев ( а и р-п перехода в равновесном состоянии ( б. [35]

Тем самым область перехода является наиболее в ы с о к о о м-ной частью диодной структуры. Участок с собственной проводимостью не совпадает с металлургической границей, а сдвинут в сторону того слоя, где сосредоточен переход. [36]

Параметры, характеризующие электрофизические свойства пленки, могут определяться при измерении пробивного напряжения и емкости диодной структуры, выполненной на этой пленке. [37]

Выполнены по планарно-эпитаксиальнои технологии с изоляцией обратнос-мещенными р-п переходами с применением сверхвысокочастотных п-р - п транзисторных и диодных структур, формированием опорного элемента на прямос-мещенных р-п переходах, подстройкой резисторов лазерным лучом. [38]

Индуктивности вплоть до нескольких миллигенри могут быть полу чены на основе эффекта модуляции проводимости в диодных структурах. Проводимость базовой области в таких диодах близка к собственной. Поэтому поле существует только в базовой области. [39]

Основным физическим процессом, характеризующим принцип работы полупроводниковых ограничителей напряжения, является обратимый пробой р-п перехода диодной структуры. [40]

По л т о р ацки и, Р ж а н о в А. Е. Колебания тока в диодных структурах в условиях шнурования. [41]

С целью оптимизации технологических режимов проводилось исследование влияния температурных отжигов ( в атмосфере азота) на вольтамперные характеристики диодных структур на однородном арсениде галлия ( с УУ5 - 1017 см-3) с напыленными контактами из серебра и золота. [42]

Тиристорный коммутатор, управляемый диодной структурой ( а, и форма токов ( б управления и двига. [43]

При замыкании нулевой точки фазных обмоток двигателя при помощи треугольного коммутатора также возможно построение простых схем управления на диодных структурах. Один из вариантов такого ТК показан на рис. 55 а. Открывание тиристоров осуществляется при соединении управляющих электродов с анодами тиристоров через разделительные Д4 - Де и выпрямительные диоды Ц - Дз. Когда два из трех тиристоров открыты, вершины образованного ими треугольника эквипотенциальны и напряжение на управляющих электродах равно нулю. [44]

Конструкция тиристорной структуры со сплавным термокомпенсатором, двухступенчатой фаской и с регенеративным управлением по току представлена на рис. 10.14. Как и в диодных структурах, компаунд, защищающий фаску, выступает над катодной поверхностью и часто используется для центровки тиристорных структур при их сборке в корпуса. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5