Диодная структура

Cтраница 2

Особенно широкое распространение получают диодные структуры на арсениде галлия. [16]

Диодные матрицы, - широко распространенные диодные структуры, - относятся к однополюсным диодным сеткам и являются наименее экономичными из них. [17]

Ррас - - рассеиваемая в диодной структуре мощность. Температура корпуса будет выше температуры окружающей среды Го, если держатели диода в устройстве обладают конечным тепловым сопротивлением Твп. [18]

Схемы накопителей ПЗУ и ППЗУ на диодных структурах приведены на рис. 10.8, а, б соответственно. Диоды располагаются в местах пересечения проводящих шин X и Y, объединяющих диоды в строки и столбцы. Информация в такой накопитель записывается в двоичном коде: лог. Диоды изготовляют для всех пересечений шин накопителя. [19]

Дан обзор механизмов отрицательного сопротивления в полупроводниковых диодных структурах. Описаны механизмы, связанные с увеличением с уровнем инжекции времени жизни неосновных носителей, подвижности и биполярной подвижности носителей, декомпенсации объемного заряда подвижных носителей, перепоглощения рекомбинационного излучения р - - перехода, возрастания с током коэффициента инжекции и ряд других. [20]

СУ г г, С - емкость диодной структуры, г и г - - эквивалентные сопротивления соответственно при прямом и обратном смещении на диод), емкость диода, накопленный заряд, максимальная рассеиваемая мощность и пробивное напряжение. Показано на примере простейшего устройства - выключателя проходного типа - каким образом по указанным параметрам можно определить основные характеристики устройства, в частности найти качество выключателя, рассчитать время переключения, определить предельные значения мощности СВЧ. Рассмотрена зависимость параметров диода от режимов работы. [21]

Определение Ррасмакс и Рраоимд основано на измерении температуры диодной структуры при выделении в ней мощности постоянного или переменного тока. Для определения температуры используются известные методы [4], основанные на измерении падения напряжения на диоде, величина которого зависит от температуры. [22]

Распределение носителей в несимметричном переходе ( полулогарифмический и линейный масштаб. Тонкими линиями показано распределение в симметричном переходе. [23]

Тем самым область перехода является наиболее высокоомной частью диодной структуры. [24]

Вольт-амперная характеристика четырехслойной структуры при этом становится подобной ВАХ диодной структуры в прямом направлении. [25]

Структура точечного. [26]

Планарная технология дает возможность относительно просто сформировать на одном кристалле много диодных структур. [27]

Структура точечного. [28]

Пленарная технология дает возможность относительно просто сформировать на одном кристалле много диодных структур. [29]

Другим признаком, по которому различаются переключательные диоды, является тип диодной структуры. В переключательных диодах используются в основном два типа структур: р-п переход и p - i - n структура. Если р-п переход широко используется в СВЧ диодах и диодах других классов ( параметрических, умножительных), то применение p - i - n структуры в переключательных СВЧ диодах является их характерной особенностью и обусловлено специфическими свойствами p - i - n структуры на СВЧ. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5