Диодная структура

Cтраница 4

Следует отметить, что на достаточно низких частотах, когда можно уже не учитывать реактивные сопротивления, создаваемые индуктивностью вывода, емкостями корпуса и диодной структуры, нет необходимости прибегать к резонансным системам. [46]

В результате этих операций получают пластину полупроводникового материала с несколькими десятками и даже сотнями ( в зависимости от размеров) одинаковых по электрическим параметрам диодных структур, конфигурация которых определяется типом примененного фотошаблона. [47]

Настоящий справочник является одной из книг базовой серии справочников, содержащих информацию о технических характеристиках зарубежных полупроводниковых приборах, функционирование которых основано на использовании диодных структур, и предназначен для специалистов, занимающихся ремонтом, сборкой и наладкой образцов зарубежной радиоэлектронной аппаратуры. [48]

Необходимо отметить, что рассмотренный эффект связан, строго говоря, не с уровнем мощности, а с амплитудой СВЧ напряжения, действующего на диодной структуре. Поэтому он может проявляться в различной степени при одной и той же мощности Рл, поскольку напряжение зависит от характеристик устройства, например от величины W, а также от частоты. [49]

Подвижность носителей заряда влияет на частотные свойства выпрямительных диодов, так как эти свойства большинства выпрямительных диодов определяются временем рассасывания неосновных носителей в базовой области диодной структуры. Это объясняется тем, что подвижность неосновных носителей заряда определяет время пролета неосновных носителей через базу, а подвижность основных носителей - объемное сопротивление базы и, следовательно, постоянную времени перезаряда барьерной емкости коллекторного перехода. Наибольшей подвижностью носителей заряда обладает антимо-нид индия. [50]

Преимущество лазерных диодов на основе CaAIAs в оптических записывающих системах состоит в том, что интенсивность излучаемого ими света может быть модулирована посредством модуляции электрического тока через диодную структуру. Газовые лазеры требуют внешнего модулятора света типа акусто - или электрооптических модуляторов. С точки зрения габаритов и стоимости преимущества использования полупроводникового лазера по сравнению с комбинацией газового лазера и модулятора так велики, что они попросту отодвигают на задний план недостатки полупроводниковых лазеров, связанные с несколько большей длиной волны излучения - около 800 нм. Последнее ограничивает как информационную емкость диска, которая обратно пропорциональна квадрату длины волны, так и скорость передачи данных, обратно пропорциональную длине волны. [51]

Логические элементы с эмиттерной связью ( ЭСЛ. [52]

Дз-Преимущество ТТЛ-элемента по сравнению с ДТЛ-эле-ментом состоит в том, что исключение резистора б уменьшает площадь, занимаемую ТТЛ-элементом на кристалле, а многоэмиттерный транзистор занимает меньшую площадь, чем диодная структура. Поэтому ТТЛ-элементы широко применяют в интегральном исполнении. [53]

Сгущение ( рост краевого электрического поля напряженностью Es на торцах верхнего плоского металлического контакта площадью S ab, где Q - распределение абсолютного отрицательного заряда в кулонах на краю металлического контакта вверху. Qs - распределение абсолютного положительного заряда в кулонах на нижнем ( также прямоугольной формы металлическом контакте в кремниевом диоде Р - и-и - структуры, Ер п - однородное распределение напряженности электрического поля в объеме р - - перехода. [54]

Для того, чтобы получить равномерное распределение электрического заряда Q s по поверхности металлических контактов и избежать краевого эффекта ( накопления поверхностных зарядов на краях плоских прямоугольных металлических контактов при обратном смещении), например, кремниевых силовых диодных структур р - и-и - типа, необходимо, чтобы металлическая поверхность контактов ( в отличие от плоской поверхности) повторяла поверхность 2-го порядка [53] поверхностного заряда Q s ( рис. 2.24, 2.25) и поверхности полупроводниковых р - и-и - областей. [55]

Схема установки для осуществления диффузии в потоке. [56]

В работе предлагается: 1) осуществить двухстадийную диффузию бора ( загонка - разгонка) в кремний n - типа в проточной системе; 2) произвести измерения поверхностного сопротивления диффузионного слоя; 3) рассчитать кривую распределения примеси и глубину залегания р-п-перехода; 4) методом косого шлифа определить толщину диффузионного слоя экспериментально; 5) изучить вольт-амперную характеристику полученной диодной структуры. [57]

Схема установки для осуществления диффузии в потоке. [58]

ЛПД обычно изготовляют на основе кремния, германия или арсе-нида галлия. Диодная структура размещается либо в корпусе, либо имеет бескорпусное оформление. Возможно включение ЛПД в коаксиальную или полосковую линию. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5