Четырехслойная структура

Cтраница 1

База триода ( РИС 1. Поле Препятствует.| Точечный триод. [1]

Четырехслойные структуры при диодном включении ( четырехслойный диод) широко применяются как управляемые переключатели, вольтамперная характеристика к-рых имеет участок с отрицат. [2]

Четырехслойная структура ( а и ее представление в виде эквивалентной схемы из двух транзисторов ( б. [3]

Четырехслойная структура в динисторном включении показана на рис. 8.14. Ее можно представить в виде двух транзисторов р-п - р - и п-р-л-типов с коэффициентами передачи тока 2161 и Л2162 - При Данной полярности внешнего напряжения эмиттерные переходы обоих транзисторов ( П1 и ПЗ) включены в прямом направлении, а общий коллектор ( П2) - в обратном. [4]

Структура и схема включения фототиристора [ IMAGE ] - 14. Вольт-амперные характеристики фототиристора. [5]

Тиристорные четырехслойные структуры р - n - p - n ( рис. 23 - 13) могут управляться световым потоком, подобно тому как триодные тиристоры управляются напряжением, подаваемым на один из эмиттерных переходов. [6]

Типичная четырехслойная структура типа р-п-р-п показана на рис. 3.30, а. Крайние слои рь п2, к которым подводятся металлические контакты Aw К, называемые анодом и катодом, а также p - n - переходы Пг и Л3 являются эмиттерными. Средние слои пь р2 представляют собой базовые области. Он подключается к источнику управляющего напряжения Ег Таким образом, четырехслойная структура представляет собой как бы сочетание двух транзисторов в одном приборе: комбинация слоев Pi-nl-p 2 - один транзистор, а комби нация слоев игр2 - 2 - Другой. [7]

Вольт-амперная характеристика четырехслойной структуры при этом становится подобной ВАХ диодной структуры в прямом направлении. [8]

Кристаллы с четырехслойной структурой и омическими контактами подвергают травлению в смеси плавиковой и азотной кислот для очистки р-п переходов от загрязнения. Затем покрывают защитной эмалью ( рис. 9.9, в), напаивают на медный кристаллодержатель и герметизируют. [9]

Структура тиристора с катодным управлением ( а и его условное схематическое обозначение ( б, структура тиристора с анодным управлением ( в и его условное схематическое. [10]

Второй способ включения четырехслойной структуры реализован в тиристоре. [11]

Простейший тиристор представляет собой четырехслойную структуру, состоящую из чередующихся слоев р - и п-типа. [12]

При подаче на четырехслойную структуру напряжения ( рис. 5.55, а) центральный р-и-переход оказывается включенным в обратном направлении, а два крайних перехода - в прямом. [13]

Распределение токов в чет трехслойной структуре тиристора ( а и в двухтранзисторной схеме замощения ( б. [14]

Распределение тока в четырехслойной структуре тиристора, на которую подано напряжение U, рассмотрим ПО рис. 43, а, где темными стрелками изображено движение электронов, а светлыми - движение дырок. [15]

Страницы: 1 2 3 4