Четырехслойная структура

Cтраница 2

Полупроводниковый прибор с четырехслойной структурой может быть моделирован комбинацией двух обычных транзисторов с различными типами про-всдп. [16]

Величина тока выключения для управляемой четырехслойной структуры, как это можно видеть, сравнивая рис. XI.5 и рис. XI.7, будет зависеть от управляющего тока / б, однако изменение это не очень существенное и не имеет особого практического значения. [17]

Тиристоры выполнены на основе четырехслойной структуры р-п-р-п. На рис. 9.24 представлена вольт-амперная характеристика тиристора. В отличие от обыкновенного триода тиристор имеет два устойчивых участка работы, которым соответствуют отрезки вольт-амперной характеристики ОА и ВС. Отрезок АВ вольт-амперной характеристики соответствует неустойчивому режиму работы тиристора. Поскольку тиристоры обладают высокими коэффициентами усиления, то д использование их в схемах следящего привода или просто в схемах управления электродвигателями позволяет значительно упростить принципиальные электрические схемы путем уменьшения количества каскадов усиления. Следует только иметь в виду, что при работе системы на постоянном токе схема должна иметь элементы, возвращающие тиристор из проводящего состояния в запертое. [18]

Такой диод тоже представляет собой четырехслойную структуру ( рис. 6.8, а), образующую два транзистора. [19]

Двухколлекторный транзистор. [20]

При малых напряжениях на входе четырехслойная структура закрыта, ток, проходящий через нее, мал. [21]

Схематическое изображение р-п-р-п структуры.| Вольт-амперная характеристика р-п-р-п структуры. [22]

Этот участок соответствует открытому состоянию четырехслойной структуры. [23]

Смещение р-п-р-п структуры в прямом направлении ( а и ее транзисторная модель ( б. [24]

Видно, что слой п четырехслойной структуры является одновременно базовым слоем р-п - р транзистора и коллекторным слоем п-р - п транзистора. [25]

Общий ток, текущий через четырехслойную структуру р - п-р - п, можно представить как сумму токов, текущих в условных триодах. [26]

В транзисторе Шокли, имеющем четырехслойную структуру, вывод базы р-типа ( ловушки) оборван. Дырки, инжектированные переходом эмиттер - база р-п-р-транзистора, скапливаются в ловушке. Потенциал ловушки повышается, что вызывает инжекцию компенсирующих электронов из коллектора п-р-п-транзи - LTOpa. В СТ-структуре, в отличие от транзистора Шокли, вывод базы р-типа является управляющим электродом. [27]

Схема однополупериодного выпрямления ( а, изменение и, i во времени при работе полупроводникового диода ( б. [28]

Управляемый полупроводниковый диод, имеющий четырехслойную структуру pi - л - р2 - 2 и три р - я-перехода, называется тиристором. В отличие от неуправляемого диода тиристор имеет третий вывод - управляющий. Яз смещаются в прямом направлении ( открываются), а р - я-переход Я2 остается закрытым. При этом напряжение источника питания приложено к р - n - переходу Я2, а ток, протекающий по тиристору, очень мал, тиристор закрыт. Повышение напряжения источника питания вызывает незначительное повышение силы тока, проходящего через гиристор. [29]

Открытое состояние полупроводникового прибора с четырехслойной структурой сохраняется, пока через него протекает ток, обеспечивающий выполнение равенства ai Os. Наименьшее значение этого тока называется удерживающим током / уд. [30]

Страницы: 1 2 3 4