Четырехслойная структура

Cтраница 4

Биполярные транзисторы полупроводниковых ИМС с изоляцией р-я-переходом представляют собой четырехслойную структуру с тремя p - n - переходами, один из которых - изолирующий. Наличие этого перехода приводит к появлению паразитных элементов и ухудшает параметры интегральных транзисторов по сравнению с дискретными. [46]

Он представляет собой полупроводниковый прибор с такой же четырехслойной структурой Р N PI jV2, как тиристор, но без управляющего электрода. Динисторы применяют в основном в качестве бесконтактных переключающих приборов для управления соответствующими аппаратами, а также устройствами автоматики. Для выполнения этих операций динистор включают последовательно с управляемым аппаратом. [47]

Он представляет собой полупроводниковый прибор с такой же четырехслойной структурой р - п - р2 - п2, как тиристор, но без управляющего электрода. Динисторы применяют в основном в качестве бесконтактных переключающих приборов для управления соответствующими аппаратами, а также устройствами автоматики. Для выполнения этих операций динистор включают последовательно с управляемым аппаратом. Вольт-амперная характеристика динистора, изображенная на рис. 57, поясняет его применение. В точке н при некотором начальном напряжении t / нач динистор находится в запертом состоянии и через него протекает небольшой ток утечки / о, недостаточный для срабатывания управляемого аппарата. [48]

Наличие двух раздельных входов у тетристора расширяет возможности использования четырехслойных структур. В связи с этим была сделана попытка построения накопительного устройства типа счетчика на тетри-сторных триггерах. [49]

Перспективно применение реле, выполненных на ПП приборах с четырехслойной структурой. [50]

Указанный метод позволяет получить одновременно большое число кристаллов с четырехслойной структурой на пластине кремния и дает возможность использовать для защиты поверхности р - n переходов окнсную пленку. Диффузионный метод нашел широкое применение при изготовлении мощных тиристоров [12], для которых требуются переходы большой площади и специальной конфигурации. [51]

В силу - электрической эквивалентности [6, 7] специальный прибор с четырехслойной структурой ( рис. 1 а) может заменить пару транзисторов различной проводимости ( рис. 1 6) и на нем могут быть построены экономичные импульсные схемы. [52]

В экспериментальных работах [39, 40] исследовалось распределение механических напряжений по площади четырехслойной структуры с помощью пьезоэлектрического датчика, имевшего резонансную частоту порядка 150 кГц и выполненного конструктивно подобно звукоснимателю. Обнаружилось, что вблизи области первоначального включения выходной сигнал преобразователя ( пропорциональный величине смещения соответствующей точки поверхности) резко возрастал. Между передним фронтом включения тиристора и передним фронтом сигнала преобразователя существует задержка U, обусловленная распространением упругой волны из области первоначального включения до точки, в которой игла преобразователя касается поверхности кремния, и от точки касания через иглу преобразователя. [53]

ПП прибор, выполненный на основе монокристалла кремния, с четырехслойной структурой типа р-п-р-п ( с тремя электронно-дырочными переходами); обладает св-вами управляемого вентиля электрического. S-образный вид, т.е. содержит участок, соответствующий состоянию с отрицат. [54]

Время задержки t3 определяется временем пролета носителей заряда во внутренних областях четырехслойной структуры и временем, в течение которого сумма коэффициентов передачи по току достигает. [55]

Транзисторная модель р-п-р-п структуры при обратном смещении. [56]

Это уравнение получается из условия непрерывности тока через все р-п переходы четырехслойной структуры. При этом учитывается, что базовым током для каждого составного транзистора служит обратный ( генерационный) ток его коллекторного перехода. [57]

Необходимо отметить, что в ждущем режиме через полупроводниковый прибор с четырехслойной структурой, а следовательно, и во внешней цепи протекает ток закрытого состояния прибора / зс, нагружающий источник питания. [58]

Страницы: 1 2 3 4