Четырехслойная структура

Cтраница 3

Модель удобно использовать при машинном проектировании четырехслойных структур, так как она позволяет находить непосредственно значения конструктивных и технологических параметров, при которых наилучшим образом удовлетворяются требования к электрическим параметрам прибора. С другой стороны, ее удобно использовать и при машинном анализе работы электронных схем и цепей, в которых эти приборы применяются. [31]

Тиристором называется полупроводниковый прибор на основе четырехслойной структуры р-п-р-п, имеющий три р-п перехода. Напряжения подводятся так, что крайние переходы работают в прямом направлении, а средний - в обратном направлении. Прибор обладает свойством диода. [32]

Комбинируя эти технологические методы, получают четырехслойную структуру диффузионным, диффузионно-сплавным или сплавно-диффузионным методом. [33]

Двухоперационный ( выключаемый) тиристор представляет собой четырехслойную структуру, которая включается подачей положительного напряжения на управляющий электрод, а выключается подачей на этот электрод отрицательного импульса. Эти тиристоры широко применяют в импульсных генераторах, высокоскоростных мощных устройствах, так как они выдерживают большие напряжения в закрытом состоянии. Конструкция их подобна конструкции обычных тиристоров. [34]

По принципу действия полупроводниковые приборы с четырехслойной структурой существенно отличаются от транзисторов и в электрических устройствах действуют как полупроводниковые ключи, которые открываются и закрываются при кратковременной подаче соответствующих сигналов. Таким образом, эти полупроводниковые приборы обладают замечательным свойством запоминать заданное им внешним сигналом электрическое состояние. [35]

Наиболее характерным примером полупроводниковых функциональных приборов является четырехслойная структура типа р-п-р-п. Наличие на вольт-амперной характеристике трех участков: низкое сопротивление, высокое сопротивление и отрицательное сопротивление дает возможность путем выбора соответствующих режимов и нагрузки создавать различные устройства для выполнения многих функций. Использование таких структур позволит значительно уменьшить количество элементов. [36]

Предельные значения статических параметров. [37]

А - коэффициент, зависящий от параметров четырехслойной структуры, для маломощных тиристоров А 0 5 - 3 0 мксек-ма. [38]

Диод на эмиттерном и коллекторном переходах транзистора, включенных параллельно. [39]

На рис. 6.10, а показан разрез четырехслойной Структуры, а на рис. 6.10 6 приведена модель этой структуры. [40]

Транзисторы полупроводниковых ИМС с изоляцией р-гс-перехо-дом представляют собой четырехслойную структуру с тремя р-п-пе-реходами, один из которых - изолирующий. Наличие этого перехода приводит к появлению паразитных элементов и ухудшает параметры интегральных транзисторов по сравнению с дискретными. [41]

Транзисторы полупроводниковых ИМС с изоляцией р-м-перехо-дом представляют собой четырехслойную структуру с тремя р-п-пе-реходами, один из которых - изолирующий. Наличие этого перехода приводит к появлению паразитных элементов и ухудшает параметры интегральных транзисторов по сравнению с дискретными. [42]

Основу тиристора составляет монокристаллическая пластина, имеющая четырехслойную структуру типа р-п-р-п. Катодом является внешний слой электронной проводимости, внешний слой дырочной проводимости образует анод, а внутренний - управляющий электрод. Ях я П3 будут смещены ( поляризованы) п обратном направлении, а тиристор заперт. При этом средний центральный переход Я, будет смещен в прямом направлении. Допустимые значения величин прямого и обратного напряжений зависят от удельного сопротивления слоев, образующих электронно-дырочный переход, и градиента концентрации примесей в переходе. В данном случае переход Пг образован слоями PI и nlt где / ii - слой с наибольшим удельным сопротшзле-нием, поэтому величина обратного напряжения тиристора будет определяться параметрами перехода Ях. При этом характеристика триодного ( или диодного) тиристора с обратном направлении подобна характеристике обычного кремниевого диода. [43]

Итак, механизм действия полупроводниковых приборов с четырехслойной структурой ( тиристоров) имеет резко выраженный ключевой характер. Приборы могут находиться только в одном из двух устойчивых состояний: Закрыто и Открыто. Эта особенность приборов отражена в их названии: тира - по-гречески означает дверь. [44]

Это означает, что прямая ветвь вольт-амперной характеристики четырехслойной структуры обладает участком отрицательного сопротивления ( участок ab на рис. 3.30, в), на котором рост тока обусловлен снижением напряжения. [45]

Страницы: 1 2 3 4