Схема - логический элемент
Cтраница 4
 |
Схема электрическая принципиальная полупроводниковой ИС - логического элемента со сложным инвертором. [46] |
На рис. 8.22 представлена схема логического элемента транзисторно-транзисторной логики со сложным инвертором. Все элементы имеют графические буквенно-цифровые обозначения в соответствии с ГОСТами ЕСКД - Транзисторы изображены без корпуса. Выходы, входы и контакты питания в схеме располагают в ряд, в данном случае - вертикально. [47]
 |
Основные логические элементы. [48] |
На рис. VI 1.14 показаны схемы транзисторных логических элементов. Основой схемы на рис. VII.14, а является полупроводниковый усилитель постоянного тока, работающий в режиме переключения. [49]
 |
Транзисторный инвертор. [50] |
Назначением транзисторов в рассматриваемых ниже схемах логических элементов является инвертирование и усиление мощности сигнала. [51]
На рис. 5 - 33 представлены схемы логического элемента И, выполненного на полупроводниковых диодах и транзисторах. [52]
 |
Логический элемент И на диодах ( а и на биполярных транзисторах, управляемых отрицательными ( б и положительными ( в импульсами. [53] |
На рис. 5 - 32 представлены схемы логического элемента И, выполненного на полупроводниковых диодах и транзисторах. [54]
 |
Релаксационные усилители-формирователи. [55] |
На рис. 2 - 13 приведены схемы логических элементов И на два входа. В этих схемах применен логический тиратрон ТХ8Г в релаксационном включении. Схема рис. 2 - 13 а используется тогда, когда один входной сигнал представлен положительным уровнем напряжения, а второй-положительным импульсом. [56]
На рис. 5 - 33 представлены схемы логического элемента И, выполненного на полупроводниковых диодах и транзисторах. [57]
На рис. 5 - 33 изображены схемы логического элемента ИЛИ. При подаче положительного импульса на один из входов схемы, выполненной на полупроводниковых диодах Д1 и Дг ( рис. 5 - 33, а), соответствующий диод пропускает сигналы и на выходе появляется положительный импульс. [58]
На рис. 8.14, а показана схема логического элемента ИЛИ-НЕ с параллельно включенными активными транзисторами. На рис. 8.14, б приведен пример топологии. Структура содержит три области п - типа: И А1, Яа, - совмещения истоков обоих активных транзисторов, Са1, Са2, И - совмещения их стоков и истока пассивного транзистора, Сп - сток пассивного транзистора. [59]
 |
Логический элемент И на диодах ( а и на транзисторах, управляемых отрицательными ( б и положительными ( в импульсами. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5