Cтраница 1
Гибридные схемы - это тонкопленочные схемы, состоящие из пассивных элементов и присоединенных к ним дискретных активных элементов любого назначения ( транзисторы, диоды, варикапы, стабилитроны и пр. Преимущества гибридных схем состоят в том, что они дают возможность сочетать достоинства пленочной технологии изготовления пассивных элементов с высокими электрическими свойствами дискретных полупроводниковых структур. [1]
Гибридные схемы имеют некоторое сходство со схемами на обычных дискретных компонентах, однако в гибридной схеме применяются как отдельные элементы этой схемы тонкопленочные компоненты и компоненты, изготовленные в монолитном блоке. [2]
Гибридные схемы, в которых в качестве навесных элементов применены бескорпусные полупроводниковые интегральные схемы, называют многокристальными. [3]
Гибридные схемы подвергают герметизации, помещая их в корпус. Часто корпус имеет штырьковые контакты, которые вставляются в отверстия плат с печатным монтажом. Конструкции р адио-электронной аппаратуры на основе, гибридных схем могут быть получены в виде единого блока, состоящего из нескольких гибридных схем. Полученные микроэлектронные узлы обладают малыми паразитными емкостями и хорошими характеристиками. Они успешно применяются, например, я конструкциях высокочастотных блоков приемоусилительной аппаратуры. Примером выполнения микроузла может явиться усилитель высокой частоты радиоприемника, который выполняется в виде гибридной схемы, содержащей два активных и шесть пассивных элементов. Все восемь элементов выполнены на одном полупроводниковом основании размером 2 54 X1 27 мм. Монокристалл кремния содержат два транзистора и покрыт пленкой SiO, на которую нанесены четыре тонкопленочных резистора и два конденсатора. [4]
Гибридные схемы состоят из кремниевой пластины с одним или несколькими диодами и транзисторами, на поверхности которой нанесена пленка диэлектрика - двуокиси кремния. На пленку осаждаются тонкопленочные резисторы и конденсаторы. В этих схемах компоненты имеют параметры с широким значением величин и высокой точностью их выполнения. Паразитные емкости в таких схемах получаются меньшими. Однако стоимость гибридных схем выше, чем монолитных, так как при их изготовлении приходится применять большее количество технологических операций. [5]
![]() |
Схема с общим эмиттером.| Схема с общим коллектором. [6] |
Гибридные схемы - это сочетание пленочных пассивных элементов с навесными активными элементами ( полупроводниковыми приборами); соединения в таких схемах выполняются пленочными. [7]
![]() |
Принципиальная схема устройства выборки-памяти. [8] |
Модульные гибридные схемы обычно проектируются для общего применения с несколькими различными микро - ЭВМ. [9]
Гибридная схема усилителя низкой частоты К2УС245 представляет собой пятикаскадный усилитель с непосредственной связью между каскадами. Он предназначен для предварительного усиления низкой частоты совместно с бестрансформаторным усилителем мощности. Оформлен в прямоугольном металлополимерном корпусе с 11 выводами. [10]
Это гибридная схема - частью электрическая, частью, может быть, механическая, но в обоих случаях она точно отображает положения, относящиеся к поведению элементов. [11]
Какие полупроводниковые и гибридные схемы усилителей выпускает промышленность. [12]
Конструкция гибридной схемы, применяемые детали и материалы должны обеспечить в рабочем состоянии температуру кристалла не более 100 С. [13]
Построение гибридных схем на основе характеристических соотношений, Сообщения по прикладной математике, Вычисл. [14]
Параметры гибридной схемы замещения в справочных данных по транзисторам не приводятся, и их либо вычисляют, либо измеряют. [15]