Cтраница 4
Монтаж транзистора в состав гибридной схемы рекомендуется осуществлять с помощью ультразвуковой пайки в инертной среде. В качестве припоя применяется золотая прокладка толщиной 0 02 мм. Основание, на которое напаивается транзистор, должно быть золоченое, толщина покрытия не менее 3 мкм. [46]
Таким образом, стоимость прецизионных гибридных схем при серийном производстве зависит в основном от стоимости навесных, дискретных компонентов и затрат на сборку и испытания, а не от стоимости подложки с пленочными элементами схемы. В приборостроительной промышленности тонкопленочные и толстопленочные схемы сравнимы по стоимости. [47]
Технология сборки транзисторов в гибридную схему, применяемые детали и материалы должны обеспечить значение теплового сопротивления переход - корпус, при котором в процессе работы температура перехода не превышает 150 С. [48]
Технология монтажа транзистора в гибридную схему, применяемые детали и материалы должны обеспечивать значение теплового сопротивления переход - корпус собранного в гибридную схему транзистора не выше 74 С / Вт в динамическом режиме. [49]
Разрешается монтаж транзисторов в гибридную схему производить пайкой металлизированного основания кристаллодержателя к теплоотводящей поверхности при температуре пайки не выше 180 С. [50]
После посадки транзистора в гибридную схему необходимо удалить посторонние частицы с рабочей поверхности методом обдува ее очищенным нейтральным газом и проверить внешний вид. [51]
Разрешается монтаж транзисторов в гибридную схему производить припайкой металлизированного основания кристаллодержателя и теплоотводящей поверхности при температуре пайки не выше 180 С. [52]