Гибридная схема

Cтраница 2

В гибридных схемах используются как тонкие, так и толстые пленки. Термин тонкие пленки относится к пленкам толщиной до нескольких микрометров. Производство тонких пленок требует больших капитальных затрат поэтому они используются в сложных аналоговых системах с жесткими допусками на элементы, где требуется крайне высокая стабильность параметров резисторов. [16]

В гибридных схемах на пассивной подложке ( стекло, керамика) пассивные элементы ( резисторы, соединительные проводники, конденсаторы) получают методами пленочной технологии, а активные элементы являются навесными, причем транзисторы применяют в бескорпусном исполнении. [17]

Схемы конструкций корпусов микросхем. [18]

В больших гибридных схемах и микросборках, в которых предусматривается общая герметизация, применяют также бескорпусные микросхемы. [19]

Отдельные компоненты гибридной схемы могут соединяться между собой токопроводящими пленочными проводниками, нанесенными на подложку, или проволочными перемычками. [20]

Особенностью этих гибридных схем является то, что в модуль встроены конденсаторы; остается добавить только внешние резисторы. [21]

Что называют гибридной схемой. [22]

Очень перспективными являются различные гибридные схемы на полевых и биполярных транзисторах, обладающие хорошими усилительными свойствами при улучшенной температурной стабилизации. Переключающие схемы на полевых транзисторах отличаются низким потреблением мощности при малых рабочих токах, хотя сопротивление их канала во включенном состоянии обычно на порядок превышает сопротивление биполярных транзисторов при насыщении. [23]

Третья модификация использует интегральные и гибридные схемы, являющиеся законченными высокочастотными и низкочастотными узлами с определенными выходными параметрами. Из таких схем и создается схема передатчика в целом. [24]

Представляет интерес рассмотрение гибридных схем, в которых содержатся как биполярные, так и МДП-тргнзисторы. Такое сочетание транзисторов позволяет использовать положительные свойства тех и других. [25]

Профили осаждаемого металла в зависимости от клина проявления фоторезиста. / - пленка фоторезиста. 2 - формируемый элемент. [26]

Повышение степени интеграции гибридных схем может быть достигнуто использованием в схемах многоуровневых межсоединений. Частным случаем таких схем являются пассивные схемы с расположением проводников на обеих сторонах подложки и соединением их через отверстие в подложке. Этот вариант также реализуется с применением комбинированных процессов фотолитографии и гальванического осаждения проводящих слоев с применением маски фоторезиста. [27]

Монтаж транзисторов в гибридную схему рекомендуется осуществлять с помощью клея ЭЧЭ-С ТУ ЫУО. При приклеивании транзистора не допускается затекание клея йа активную поверхность транзистора. [28]

Установка диода в гибридную схему производится путем приклейки на держатель или подложку с последующей припайкой выводов к контактным площадкам. [29]

Монтаж транзистора в гибридную схему следует проводить припайкой основания кристаллодержателя к нагретой теплоотводящей поверхности. Температура пайки не более 180 С, время пайки не более 3 мин. Рекомендуется перед пайкой проводить об-луживание при температуре - Н90 С в течение не больше 1 мин. [30]

Страницы: 1 2 3 4