Гибридная схема

Cтраница 3

Монтаж транзисторов в гибридной схеме должен осуществляться с помощью ультразвуковой пайки в инертной среде. В качестве припоя должна применяться золотая прокладка толщиной 0 02 мм. [31]

По отношению к гибридным схемам и тонкопленочным гибридным схемам монолитные интегральные схемы, на поверхность которых наносятся тонкие пленки, обладают наиболее высокой надежностью. [32]

Схема гибридного коммутируемого переключателя. а - коммутируемое реле с разным временем срабатывания контактов. б - коммутируемое реле с повышенным быстродействием включения нагрузки. [33]

Симистор в такой гибридной схеме работает только во время включения и выключения нагрузки. Основное же время ток нагрузки протекает через контакты реле. [34]

Транзисторно-диодные ( гибридные двухстабиль. [35]

В результате в гибридных схемах по сравнению с ТД-схемами возможно получить большую стабильность и нагрузочную способность. [36]

Технология сборки транзисторов в гибридные схемы, применяемые детали и материалы должны обеспечить значение теплового сопротивления, при котором в процессе работы температура р - n перехода не превышает - Н50 С. [37]

Монтаж транзистора в составе гибридной схемы рекомендуется осуществлять с помощью клея типа Э4Э - С ЫУО. Температура сушки 120 С, время сушки 90 мин. [38]

Монтаж транзистора в состав гибридной схемы должен осуществляться при помощи клея Э4Э - С ЫУО. ТУ с последующей сушкой в термостате при температуре 120 С в течение 90 мин. Не допускается затекание клея по периметру кристалла. Соединение кристалла с контактной площадкой должно выдерживать разрывное усилие не менее 0 6 гс. [39]

Монтаж транзистора в составе гибридной схемы рекомендуется осуществлять с помощью клея Э4Э - С ЫУО. [40]

Монтаж транзистора в состав гибридной схемы должен осуществляться при помощи клея Э4Э - СЫУО. ТУ с последующей сушкой в термостате при температуре 120 С в течение 90 мин. Не допускается затекание клея по периметру кристалла. Соединение кристалла с контактной площадкой должно выдерживать разрывное усилие не менее 0 6 гс. [41]

Монтаж транзистора в состав гибридной схемы рекомендуется осуществлять с помощью клея ЭЧЭ-С по ТУ ЫУО. [42]

Монтаж транзисторов в составе гибридных схем должен осуществляться с помощью ультразвуковой пайки в инертной среде. В качестве припоя должна применяться золотая прокладка толщиной 0 02 мм. [43]

При изготовлении пассивных элементов гибридных схем применяют тонкопленочную или толстопленочную технологию. К толстым пленкам относятся пленки толщиной от нескольких микрометров до нескольких сотен микрометров, к тонким - толщиной до 1 - 2 мкм. [44]

Большим достижением в технике гибридных схем является создание жестких выводов - балочных и шариковых - у активных элементов. Жесткие выводы повышают надежность соединений и позволяют вести автоматическую сборку гибридных схем. Современные сборочные автоматы производят монтаж элементов на подложку со скоростью несколько тысяч кристаллов в час. Такая производительность монтажа сравнима с групповой технологией изготовления монолитных схем. [45]

Страницы: 1 2 3 4