Гибридная интегральная схема

Cтраница 1

Гибридные интегральные схемы паяют методом плавления покрытия-припоя в полуавтоматическом режиме на установке МС-64П2-1, в которой электрод с помощью вакуумной присоски подает кристалл из кассеты и совмещает его с контактной площадкой на подложке и прижимает с определенной силой. В течение импульсного нагрева электрода происходит пайка, а через заданное время после кристаллизации припоя электрод поднимается в исходное положение. Установка обеспечивает регулируемое давление электрода на колонку нагревателя в диапазоне 1 - 10 Н, нагрев электрода в пределах 150 - 450 С. [1]

Гибридные интегральные схемы представляют собой функциональные узлы, состоящие из интегральных микросхем и отдельных микроэлементов, либо узлы, состоящие только из интегральных микросхем. Гибридные интегральные схемы дают возможность создавать различные устройства, выполняющие более разнообразные функции по сравнению с интегральными микросхемами. [2]

Гибридные интегральные схемы создаются методами твердых и пленочных схем. Пассивная часть схемы [ ( резисторы, конденсаторы, межкомпонентные проводники и др.) создается методом пленочных схем, а активные и нелинейные части ( ( транзисторы и диоды) - методом твердых схем. [3]

Гибридные интегральные схемы занимают промежуточное положение. Пассивная часть схемы ( сопротивления, конденсаторы, проводники и др.) создается методами пленочных схем, а активная и нелинейная части ( транзисторы и диоды) создаются методами твердых схем. [4]

Гибридные интегральные схемы характеризуют функциональные узлы, состоящие из интегральных схем и отдельных микроэлементов, или узлы, состоящие из нескольких интегральных схем. [5]

Гибридные интегральные схемы в зависимости от толщины пленок делят на тонкопленочные и толстопленочные. [6]

Гибридные интегральные схемы выполняют в два приема, сначала на подложке из диэлектрика пленочной технологией создают пассивные элементы и соединяющие ленточки. Затем к полученной конструкции крепят активные элементы в бескорпусном исполнении. В тонкопленочных ( толщина меньше 1 мкм) интегральных схемах достигается большая степень интеграции и более широкий диапазон номинальных значений пассивных элементов. [7]

Гибридные интегральные схемы изготавливаются на основе тонкопленочной технологии, причем в качестве активных элементов в их состав входят отдельные микроминиатюрные ( бескорпусные) транзисторы и диоды, располагаемые в общем корпусе или в пластмассовом контейнере. Гибридные схемы отличаются высоким качеством пассивных компонентов и большей гибкостью в смысле выбора типов активных элементов и допускают при необходимости большую мощность рассеяния. Из-за большего числа соединений в отношении надежности они уступают полупроводниковым схемам. [8]

Гибридная интегральная схема ( ГИС) представляет собой микросхему, выполненную на диэлектрической подложке, все пассивные элементы которой неразрывно связаны между собой пленочными проводниками и изготовлены в виде однослойных или многослойных пленочных структур, а полупроводниковые приборы ( или кристаллы интегральных схем) и другие дискретные компоненты вмонтированы пайкой или сваркой на специальные контактные площадки. [9]

Часть пленочной интегральной /. С-микросхемы. [10]

Гибридная интегральная схема ( ГИС) представляет собой схему, в которой на подложке методами толсто - и тонкопленочной технологии получены пассивные элементы схемы и токопроводя-щие проводники, а активные элементы готовыми подключаются в схему. [11]

Конструкция удлиненного корпуса. [12]

Гибридные интегральные схемы по сравнению с интегральными схемами позволяют создавать устройства более разнообразные по выполняемым функциям. Кроме того, гибридный принцип создания схем может быть использован при изготовлении схем с очень точными выходными параметрами, а также если необходимо получить сложные схемы. [13]

Гибридная интегральная схема типа 2ЛБ042 включает два однотипных логических элемента И-НЕ / ИЛИ-НЕ. [14]

Конструкция удлиненного корпуса. [15]

Страницы: 1 2 3 4