Cтраница 4
Приведены основные требования к диэлектрическим покрытиям металлических подложек для гибридных интегральных схем ГИС, изготовляемым средствами толстопленочной технологии. [46]
Приводятся результаты исследования по синтезу стеклокристаллических диэлектриков для стальных подложек гибридных интегральных схем. В работе показано, как путем направленной кристаллизации стекол можно получить стеклокристаллические эмали с повышенными термомеханическими и диэлектрическими характеристиками. [47]
![]() |
Принципиальная электрическая схема двухканального коммутатора. [48] |
Коммутатор 56.373 4 ( рис. 4.14) выполнен в виде большой гибридной интегральной схемы ( БГИС) с использованием толстопленочной технологии. Микросборочные единицы операцион - ной и силовой частей БГИС смонтированы на медном основании корпуса из полимерного материала. Причем корпус коммутатора выполнен как единое целое с семиштырьковым разъемом. Корпус герметизируется приклейкой крышки. [49]
Наконец, гибридная технология позволяет создавать схемы высокой степени интеграции - большие гибридные интегральные схемы ( БГИСы), которые в отличие от полупроводниковых БИС имеют практически неограниченную степень интеграции. [50]
![]() |
Полупроводниковый тен-зодатчик.| Схема включения тензодатчика. [51] |
Нужно отметить, что разработаны тензодат-чики давления модульного типа в виде гибридной интегральной схемы, в которой на общем керамическом основании размещены датчик и операционный усилитель. Тензорезисторы соединены по мостовой схеме, элементы которой нанесены на поверхность кремниевой пластинки диффузионным способом. [52]
В табл. 20 приведены сравнительные технико-экономические характеристики процессов изготовления пассивной части тонкопленочных гибридных интегральных схем. [53]
Наибольшее распространение в отечественных БГИС нашли металлостеклянные корпуса, аналогичные корпусам для гибридных интегральных схем. [54]
Одной из важнейших проблем, которую приходится решать при проектировании и изготовлении больших гибридных интегральных схем, является отвод тепла. В схемах с балочными выводами, эспандерами или жесткими выводами тепло рассеивается в основном через выводы. Для улучшения рассеивания тепла возможно применение теплоотводов. [55]