Гибридная интегральная схема

Cтраница 2

Гибридными интегральными схемами называют функциональные узлы, состоящие из интегральных схем и отдельных микроэлементов, или узлы, состоящие из нескольких интегральных схем. [16]

Элементы полупроводниковых микросхем. [17]

В гибридных интегральных схемах ( ГИС) активными элементами являются полупроводниковые элементы или бескорпусные полупроводниковые ИС, а пассивными - тонкопленочные или толстопленочные элементы, выполненные на изолирующей подложке. [18]

В гибридных интегральных схемах пассивные элементы и все соединения представляют собой пленки из различных материалов, нанесенные на стеклянную или керамическую подложку, а в качестве активных элементов применяют навесные дискретные полупроводниковые приборы. В таких схемах использованы преимущества пленочной технологии в сочетании с технологией полупроводниковых приборов. [19]

При изготовлении гибридных интегральных схем СВЧ ( ГИССВЧ) активные приборы ( транзисторы, диоды) выполняются в виде навесных элементов и присоединяются к проводникам пассивных пленочных цепей. Пассивные элементы ГИССВЧ: конденсаторы, индуктивности, резисторы - изготовляются на общей подложке и могут быть как распределенными, так и сосредоточенными. Для изготовления пассивных элементов используется реактивное катодное распыление на постоянном токе с осаждением на всю подложку с последующим гальваническим наращиванием или избриательным травлением. [20]

Термокомпрессионная сварка.| Сварка обратной термокомпрессией. [21]

Обычно для монтажа гибридных интегральных схем используют комбинированный нагрев инструмента до 350 С и подложки - до 200 С. [22]

Компоненты, образующие гибридную интегральную схему, должны быть объединены неразъемным образом для всех целей и областей применения, то есть, хотя некоторые из элементов можно было бы теоретически удалить и заменить, это представляло бы длительную и кропотливую работу, являющуюся не экономичной в нормальных производственных условиях. [23]

Счетный аппарат 1CC - SC-S D.| Электронная клавишная машина широкого назначения IME - 8GS. [24]

Аппарат выполнен на гибридных и интегральных схемах. На нем можно выполнять все арифметические действия и ряд простых комбинированных вычислений. Характерной особенностью этого аппарата является наличие автономного источника электроэнергии в виде аккумуляторной батареи типа Кадника, что обеспечивает возможность пользования аппаратом не только в стационарных, но и в полевых условиях, прн отсутствии внешних источников энергии. [25]

В настоящее время применяют гибридные интегральные схемы ( активные элементы дискретные, а пассивные элементы и соединения между ними выполнены на основе тонкопленочпой технологии), которые часто назыиают интегральными пленочными. [26]

На рис. 2.40 показана гибридная интегральная схема ПЗУ объемом 4096X1 с расширенными функциональными возможностями. Информационное поле состоит из 16 матриц, каждая объемом 256X1, управляемых дешифраторами строк и столбцов. Входные переменные подаются на дешифраторы в парафазном коде с выходов усилителей размножения. Выходные сигналы с усилителей считывания, расположенных в дешифраторах столбцов, поступают на входы ЭПЛ, совмещенного с выходным регистром. В схему встроены 12-разрядный входной регистр и блок синхронизации для выработки требуемых тактирующих сигналов. [27]

Применение в области СВЧ гибридных интегральных схем в значительной мере зависит от качества используемых диэлектриков. Это налагает на диэлектрик специфические требования, поскольку его электрофизические параметры во многом определяют параметры сформированного на подложке электронного устройства. [28]

Схема технологического процесса изготовления тонкоплеиочных интегральных микросхем масочным способом. [29]

Подложка является конструктивной основой гибридных интегральных схем. Она оказывает существенное влияние на параметры тонких пленок и надежность всей схемы. К подложкам, независимо от конструкции и назначения микросхем, предъявляются следующие требования: высокая механическая прочность, высокое значение диэлектрической проницаемости ( е), малый угол диэлектрических потерь ( tg 6), высокая плоскостность, беспористость, близость температурных коэффициентов расширения ( ТКР) подложки и пленки, хорошая теплопроводность, стойкость к термоударам, химическая стойкость, большое электросопротивление, минимальная шероховатость поверхности, низкая стоимость. К кристаллической структуре этих подложек не предъявляется каких-либо особых требований. [30]

Страницы: 1 2 3 4