Гибридная интегральная схема

Cтраница 3

Существуют и другие разновидности гибридных интегральных схем, однако рассмотренный вид имеет наибольшее распространение. [31]

Промышленность выпускает много вариантов типовых полупроводниковых и гибридных интегральных схем усилителей. [32]

Толстопленочные резисторы применяют в гибридных интегральных схемах. К толстым пленкам относят пленки, толщина которых превышает несколько микрометров. Толстые резистивные пленки наносят на подложки через сетчатые трафареты ( метод шелкогра-фии): через отверстия в сетчатом трафарете на подложку продавлю вается слой пасты из требуемого материала в виде дисперсионного раствора, а затем производится отжиг нанесенного слоя. В качестве резистивного материала используют кермет-палладиево-серебряную глазурь. [33]

Как полупроводниковые, так и гибридные интегральные схемы помещают в герметизированные корпуса с выводами. Поскольку в готовой интегральной схеме нельзя ни изменить, ни измерить параметры отдельных ее элементов, схема характеризуется в целом определенной совокупностью параметров. [34]

В дальнейшем нас будут интересовать только твердые и гибридные интегральные схемы, так как построение управляющих устройств АТС без применения активных элементов невозможно. В пленочных же интегральных схемах еще не созданы промышленные активные элементы. [35]

Предназначен дли применения в составе гибридных интегральных схем устройств возбуждения источников излучения быстродействующих волоконнооптических линий передачи информации. Выпускается в бескорпусном исполнении. [36]

Для создания высокочастотных усилителей интегральном исполнении применяют гибридные интегральные схемы с автономными высокочастотными транзисторами или используют свойство селективности гибридных схем с применением частотнозависимой обратной связи. [37]

Наряду с твердыми интегральными схемами получили развитие гибридные интегральные схемы, производство которых основано на применении тонкопленочной и полупроводниковой технологии. В этом случае отдельные полупроводниковые блоки, изготовленные методом эпитаксиального выращивания и содержащие транзисторы и диоды ( иногда и другие необходимые элементы), монтируются в более крупное устройство на основе нейтральной подложки с тонкопленочными элементами и внутрисхемными соединениями. Монтирование блоков осуществляется способами, аналогичными применяемым при монтаже обычных элементов. Такое изготовление схем проще по технологии и удобнее с точки зрения конструирования схемы, так как использование отдельных блоков ( элементов) приближает данный метод к методу конструирования обычных электронных схем. [38]

В большинстве случаев ВЧ-усилители выпускаются в виде тонко-пленочных гибридных интегральных схем с коэффициентом усиления, заданным в широкой полосе частот; они встроены в 4-штырьковый транзисторный корпус. Два штырька являются выводами входной и выходной цепей с общепринятым полным сопротивлением 50 Ом, а остальные штырьки предназначены для заземления и соединения с источником постоянного тока. В продажу поступают различные усилители: одни из них отличаются низким уровнем шумов, другие - большой мощностью или большим динамическим диапазоном. Усилители могут предназначаться либо для работы в очень широкой области частот, либо для определенной полосы частот, используемой в связи. [39]

Следует указать, что активные элементы в гибридных интегральных схемах обычно имеют лучшие параметры, чем в полупроводниковых, и могут работать при больших напряжениях питания и мощностях. [40]

Предназначен для применения в импульсных схемах в составе гибридных интегральных схем. Выпускается в пластмассовом корпусе. Тип прибора указывается на корпусе. [41]

Интеграция компонентов вначале была использована в так называемых гибридных интегральных схемах ( ИС), IB ( которых на изоляционную подложку, например полированную керамическую пластинку ( площадью около 1 см2, с помощью пленочной технологии наносят резисторы и конденсаторы схемы, ( соединительные проводники и контактные площадки. Транзисторы и диоды микроминиатюрной, бескорпусной конструкции здесь приклеивают к подложке и методом термокомпрессионной сварки тонкими золотыми проводниками приваривают к контактным площадкам. [42]

Тонкопленочные резисторы ( ТПР являются наиболее распространенными тонкопленочными элементами гибридных интегральных схем, формированию которых уделяется наибольшее внимание при производстве гибридных схем. Основными параметрами ТПР, определяющими выбор их конструкции и материалов для их изготовления, являются величина сопротивления, номинальная мощность рассеяния, временная и температурная стабильность, слабая зависимость удельного сопротивления от различных факторов технологического процесса формирования. [43]

Зависимость диэлектрической проницаемости. от среднего атомного числа на молекулу окислов N. [44]

Температурный коэффициент емкости ( ТКЕ) является важным для гибридных интегральных схем параметром. [45]

Страницы: 1 2 3 4