Полупроводниковая интегральная схема

Cтраница 1

Полупроводниковая интегральная схема имеет общую подложку из кремния р-типа. Паразитный транзистор является по отношению к основному дополняющим, причем база основного транзистора служит эмиттером паразитного, коллектор основного транзистора - базой паразитного, а подложка - коллектором паразитного. [1]

Полупроводниковые интегральные схемы целесообразно применять в крупносерийном производстве. В таких интегральных схемах весьма перспективным является использование МОП-транзисторов. Полупроводниковые интегральные схемы на МОП-транзисторах являются более технологичными, дешевыми и компактными по сравнению с аналогичными схемами на биполярных транзисторах. В мелкосерийном производстве более экономичными являются гибридные схемы, которые требуют для своего изготовления менее сложной оснастки. [2]

Схематическое устройство печи для диффузии фосфора из Р2О5 в пластины кремния. [3]

Полупроводниковые интегральные схемы в основном изготавливают из кремния. [4]

Полупроводниковая интегральная схема представляет собой монокристалл полупроводника, отдельные части которого выполняют определенные электрические функции. При этом схемные компоненты: диоды, транзисторы, резисторы и конденсаторы - создаются методами планарной или планарно-эпитаксиальной технологии. [5]

Полупроводниковая интегральная схема представляет собой кристалл кремния, в толще которого образован ряд зон п - и р-проводимости. Сочетания зон образуют отдельные элементы схемы. Элементы соединены между собой либо непосредственно в толще кристалла, либо с помощью печатного монтажа, нанесенного на изолированную поверхность кристалла. [6]

Граф цепи, изображенной на. [7]

Полупроводниковые интегральные схемы ( иначе называемые твердотельными или монолитными) являются наиболее перспективными в современной микроэлектронике. Их особенность заключается в выполнении в пределах объема или на поверхности единой полупроводниковой подложки. Технология изготовления основывается на использовании процессов окисления, фотолитографии, диффузии, эпитаксии и металлизации. [8]

Интегральная схема двойного J-К - триггера. [9]

Полупроводниковые интегральные схемы состоят обычно из отдельных областей кристалла, каждая из которых выполняет определенную электрическую функцию. Рассмотрим основные компоненты, которые используются в интегральных схемах. [10]

Транзисторы интегральной схемы на изолирующей подложке. а - обычная структура, б - торцевая структура.| Принципиальная схема части интегральной микросхемы, состоящая из транзистора, эмиттерного диода и трех резисторов. [11]

Полупроводниковые интегральные схемы являются наиболее перспективным видом интегральных схем ввиду высокой надежности и малой трудоемкости их изготовления. [12]

Полупроводниковые интегральные схемы в большинстве случаев изготовляют на основе кремния по планарно-эпитаксиальной технологии, при которой обеспечивается одновременное групповое создание большого количества микросхем на одной пластине. Методика создания полупроводниковых структур здесь не отличается от применяемой при производстве автономных полупроводниковых приборов. Однако в интегральной схеме нужно обеспечить электрическую изоляцию активных и пассивных элементов, созданных в одном кристалле. В то же время они должны иметь соединения между собой в соответствии с требуемой принципиальной схемой. [13]

Полупроводниковая интегральная схема К1УС231 ( А, Б, В) является усилителем низкой частоты. Конструктивно оформлена в стеклянном корпусе с 14 выводами. [14]

Полупроводниковые интегральные схемы в основном изготавливаются из кремния. Кроме того, путем окисления поверхности кремния легко получить пленку двуокиси кремния, обладающую хорошими защитными свойствами. [15]

Страницы: 1 2 3 4