Полупроводниковая интегральная схема

Cтраница 3

Варианты использования биполярного транзистора в качестве диода. [31]

В полупроводниковых интегральных схемах диоды изготавливают методами планарной технологии одновременно с изготовлением транзисторов. На рис. 9.6 показаны пять вариантов использования биполярных транзисторов в - качестве диодов. [32]

В полупроводниковых интегральных схемах резИ сторы изготавливают методом локальной диффузии примеси в осгровки эпитаксиального слоя кремниевой заготовки. [33]

Диффузионный резистор.| Конденсатор с барьерной емкостью р - я-перехода. [34]

В полупроводниковых интегральных схемах резисторы изготавливают методом локальной диффузии примеси в островки эпитаксиального слоя кремниевой заготовки. Причем образование резисторов идет одновременно с созданием эмиттерной и базовой областей транзисторов. [35]

Диффузионный резистор.| Конденсатор с барьерной емкостью р - я-перехода. [36]

В полупроводниковых интегральных схемах в качестве конденсаторов используют барьерную емкость р - п-перехода, который формируется в островках кремниевой пластины одновременно с формированием транзисторов интегральной схемы способом диффузии; р - - переход включается в обратном направлении. [37]

Микросхемы и особенно полупроводниковые интегральные схемы широко применяют прежде всего в цифровой вычислительной технике. Это обусловлено, с одной стороны, высокой повторяемостью функциональных схем-ячеек, что создает предпосылки для организации крупносерийного и массового производства, а с другой стороны - относительно низкими требованиями к параметрам элементов. [38]

Поперечное сечение фрагмента микросхемы. [39]

Основными элементами полупроводниковых интегральных схем ( ИС) являются биполярные и полевые транзисторные структуры. В схемах, как правило, применяют планарные транзисторные элементы, у которых эмиттерные, базовые и коллекторные области выходят на одну сторону подложки. На этой же стороне подложки, на ее поверхности, располагаются и контактные выводы от этих областей. [40]

Рассмотренные элементы полупроводниковых интегральных схем обладают паразитными компонентами, ограниченным диапазоном возможных номинальных значений и весьма малыми рассеиваемыми мощностями. При разработке топологии микросхемы необходимо стремиться к исключению паразитных связей между ее элементами и к обеспечению требуемого теплоотвода. Поскольку стоимость изготовления резистора и конденсатора в интегральной схеме больше стоимости изготовления транзистора, то, проектируя интегральную схему, нет смысла стремиться к сокращению числа активных элементов, а целесообразно ( при возможности) пассивные элементы заменить транзисторами. [41]

Основой производства полупроводниковых интегральных схем ( ППИ) является процесс выращивания монокристаллов и получение различных р - - переходов в полупроводниковом основании. ППИ схемы позволяют создать высоконадежную радиоэлектронную аппаратуру весьма малых размеров. [42]

Удельный вес полупроводниковых интегральных схем в общем объеме промышленного производства полупроводниковых приборов неуклонно повышается и достиг приблизительно одной трети. Существенно возрастает доля схем на МДП-транзисторах. [43]

Физическая структура полупроводниковой интегральной схемы определяется требованиями к основному компоненту - транзистору. Принципиальные электрические схемы выбирают, исходя из опыта предыдущих разработок, с учетом возможностей технологического процесса. [44]

Каждая из полупроводниковых интегральных схем представляет собой единый кристалл полупровод-инка. [45]

Страницы: 1 2 3 4