Полупроводниковая интегральная схема
Cтраница 2
Полупроводниковая интегральная схема представляет собой микросхему, выполненную на основе полупроводниковой подложки, все пассивные и активные элементы которой неделимо связаны между собой и изготовлены в виде областей с разным типом проводимости или пассивные элементы и коммутации нанесены на поверхность подложки в виде тонких пленок. [16]
Полупроводниковыми интегральными схемами называют функциональные узлы, выполненные в одном кристалле полупроводника различными технологическими приемами обработки полупроводниковых материалов. [17]
Рассмотрим полупроводниковые интегральные схемы. В настоящее время для их изготовления используется главным образом кремний, и изготовленные из него интегральные схемы называют кремниевыми интегральными схемами. Кремниевые интегральные схемы обладают удовлетворительной стабильностью и хорошими рабочими характеристиками. Двуокись кремния отличается прекрасными защитными свойствами. Она предохраняет поверхность сформированных р-тг-переходов, а также позволяет изготовлять маски при производстве полупроводниковых структур. Для создания в кремниевой подложке структур нужных элементов служат планарная технология и эпйтаксиальное наращивание. Обычно диффузия проводится в окислительной среде, в результате чего после диффузии на поверхности образуется слой двуокиси кремния. Если же диффузия выполняется в восстановительной среде, то окисления нет, и поэтому после каждого цикла диффузии на подложку надо наносить слой изолятора - стекла. Эта лишняя операция окупается возможностью более точного контроля содержания примесей. [18]
Термином полупроводниковые интегральные схемы объединяются любые функциональные узлы, выполненные в одном кристалле полупроводника различными технологическими приемами обработки полупроводниковых материалов. [19]
Диоды полупроводниковых интегральных схем образуют из транзисторных структур, используя различные способы соединений их электродов. Имеется пять способов включения транзистора в качестве диода, отличающихся различной крутизной прямой ветви вольт-амперной характеристики и временем восстановления обратного сопротивления. Наименьшее время переключения имеет диод, одним электродом которого служит эмиттер, а другим - соединенные вместе коллектор и база. [20]
Конденсаторы полупроводниковых интегральных схем выполняются двух видов. [21]
Элементы полупроводниковых интегральных схем могут быть получены по так называемому планарному технологическому процессу. Полученные при этом методе схемы имеют повышенную стабильность и надежность. [23]
Применение полупроводниковых интегральных схем для построения запоминающих устройств является весьма перспективным. [24]
Применение полупроводниковых интегральных схем для построения ЗУ является весьма перспективным. Однако еще существует много серьезных проблем, требующих своего решения. Так, для ЗУ, выполненных на интегральных схемах, пока характерны недостаточная выходная мощность, сравнительно малое быстродействие, разрушаемость записанной информации при отключении питания. Последнее обстоятельство объясняется тем, что хранение информации в интегральных схемах осуществляется не за счет изменения магнитного состояния отдельных элементов или участков, как, например, в сердечниках или магнитных пленках, а за счет использования для этих целей своеобразных регистров памяти, выполненных на триггерах и легко получаемых в интегральном виде. Правда, в настоящее время в качестве одной из мер сохранения информации при отключении питания используются аварийные источники, состоящие из батарей или аккумуляторов. Однако такая мера предусматривает прежде всего небольшую мощность потребления энергии от источника, чего пока нельзя сказать о ЗУ на интегральных схемах. [25]
 |
Диффузионный резистор. [26] |
В полупроводниковых интегральных схемах в качестве конденсаторов используют барьерную емкость р-п перехода, который формируется в островках кремниевой пластины одновременно с формированием транзисторов интегральной схемы способом диффузии; р-п переход включается в обратном направлении. [27]
В полупроводниковых интегральных схемах все элементы ( транзисторы, диоды, резисторы и конденсаторы) создаются на базе р-п-переходов, получаемых в теле кремниевой подложки методами диффузии. Резисторы полупроводниковых схем образуются в базовой области подложки и определяются ее сопротивлением. Технологическая точность резисторов не превышает 20 % а ТКС Ю - Я 1 / град. [28]
 |
Конструкции микромодульных конденсаторов. [29] |
В полупроводниковых интегральных схемах конденсаторы образуются емкостями р - п-переходов, создаваемых в монокристалле кремния. [30]
Страницы: 1 2 3 4