Полупроводниковая интегральная схема

Cтраница 4

Основные технологические этапы получения полупроводниковых микросхем. [46]

Технология получения полупроводниковых интегральных схем состоит из 15 - 20, а иногда и более операций. [47]

Поскольку в полупроводниковых интегральных схемах конденсаторы нежелательны, запоминающие конденсаторы в интегральных Т - триггерах не используются. [48]

Если тонкопленочная или полупроводниковая интегральная схема располагается на одной стороне подложки, то электропроводная пленка, нанесенная на другую сторону подложки, может служить экраном и иногда выводится из корпуса микросхемы для подключения к корпусу устройства. Несколько таких схем могут быть надежно экранированы одна от другой с помощью указанного метода, причем неэкранированными остаются только края подложки. [49]

В свою очередь полупроводниковые интегральные схемы разделяют на микросхемы на основе обычных ( биполярных) и на основе униполярных активных элементов. [50]

Успехи в развитии полупроводниковых интегральных схем ( ИС) в середине 60 - х годов привели к возникновению нового направления в технике запоминающих устройств ( ЗУ) - - полупроводниковой памяти. Возможность реализации элементов памяти ( ЭП) на полупроводниковых приборах была известна сравнительно давно, однако в вычислительной технике использовалась редко. [51]

Основной особенностью конструирования полупроводниковых интегральных схем является необходимость учета взаимосвязи между параметрами элементов, создаваемых тем или иным способом, электрофизическими параметрами материалов, из которых создаются элементы, физическими процессами в них и технологией изготовления. [52]

Переход от технологии полупроводниковых интегральных схем к технологии БИС характеризует современную тенденцию, связанную с интеграцией не только элементов, но и целых узлов. [53]

Функциональный состав серии полупроводниковых интегральных схем и технические требования к ним определяются обычно при разработке структуры всего радиоэлектронного устройства, для которого предназначены проектируемые схемы. Технические требования должны быть разработаны с учетом возможностей технологического процесса и унификации данной серии. Очевидно, что в интегральном исполнении чаще всего предпочитают выпускать большие серии универсальных схем широкого назначения. [54]

Существенно ограничивают создание полупроводниковых интегральных схем повышенной степени интеграции трудности, возникающие при изготовлении малых по размерам корпусов ИС с большим количеством выводов. [55]

Существенно ограничивают создание полупроводниковых интегральных схем повышенной степени интеграции трудности, возникающие при изготовлении малых по размерам корпусов ИМ С с большим количеством выводов. [56]

Роль конденсаторов в полупроводниковых интегральных схемах выполняют p - n - переходы, запертые обратным постоянным напряжением. [57]

В аппаратуре на полупроводниковых интегральных схемах можно широко применять резервирование, что позволяет получить аппаратуру, способную работать безотказно многие десятки тысяч или даже сотни тысяч часов при весе и размерах, значительно меньших, чем обычная аппаратура на дискретных элементах без резервирования. [58]

В качестве конденсаторов для полупроводниковых интегральных схем используется р-п переход или слой двуокиси кремния, выращенный на полупроводнике. [59]

По данным контроля некоторых полупроводниковых интегральных схем, интенсивность отказов составляет 1 10 - 9 1 / ч, что по меньшей мере в сотни раз меньше интенсивности отказов аналогичных схем на дискретных элементах. [60]

Страницы: 1 2 3 4